电路分析期末复习总结

电路分析期末复习总结（精选6篇）

篇1：电路分析期末复习总结

一、方法论模型。

1、BOOCH、OMT、OOSE、Coad-Yourdon（前三者组成UML）

2、UML包括9种图，分别为用例图、静态图（包图、类图、对象图）、实现图（构件图、部署图）、行为图（活动图、状态图、交互图(顺序图、协作图)）基本规范，泛化关联，包含关联，扩展关联

3、基本模型——类图、需求模型——用例图、辅助模型——其他各种图

4、两大工具：Rose、PowerDesigner

5、方法三要素：模型、工具和过程

6、结构化分析三视图模型E-R、DFD、STD

7、OMT方法的三大模型：对象模型、功能模型、动态模型

8、Coad/Yourdon方法的五大层次：对象-类、结构、主题、属性、服务

二、基本建模（类图与对象图）

1、类之间的关系：关联关系、依赖关系、泛化关系。

2、抽象类与接口：抽象类有些方法可以提供实现代码，接口所有的方法都没有提供实现代码。抽象类只能被继承，接口只能被实现。

3、类的版型：实体类（数据库、文件等）、边界类（如窗体、对话框）、控制类（协调交互）

三、需求建模（用例图）

1、参与者指系统以外的、需要使用系统或与系统交互的外部实体。可以分为：人、外部设备、外部系统。

2、参与者之间的关系：泛化关系，参与者与用例之间的关系：关联关系。用例之间的关系：泛化关系，包含关系，扩展关系。包含关系和扩展关系都是依赖关系的特例。

3、用例是对一个参与者使用系统的一项功能时所进行的交互过程的一个文字描述序列。是参与者可以感受到的系统服务或功能单元。

4、用例描述是一个关于参与者与系统如何交互的规范说明（包含用例用例名称、用例描述、基本事件流、参与者、前置后置条件等）

5、用例的进一步描述：活动图、顺序图（通信图）

四、行为建模（状态图与活动图）

1、行为模型包括：状态模型（状态图，单对象）、活动模型（活动图，多对象）、交互模型（顺序图，多对象）。

2、调用事件表示的是对操作的调用，变化事件一个布尔表达式变量的值发生变化。时间事件满足某一时间表达式的情况的出现。信号事件就是由一个对象异步地发送、并由另一个对象（即状态图所对应的对象）接收的已命名的实体。调用事件状态图内对象和外部对象都能发起，信号事件只能由外部发起。

3、对象处于不同的状态，导致后续要执行不同的操作。这些操作可能归属于不同的用例。一个用例的执行对应一个顺序图。顺序图刻画了多个对象之间的消息发送关系。需要多个用例的顺序图，来融合地描述一个对象的完整状态图。

4、活动表示的是某流程中的任务的执行，它可以表示某算法过程中语句的执行。

5、分叉表示的是一个控制流被两个或多个控制流代替，经过分叉后，这些控制流是并发进行的。汇合正好与分叉相反，表示两个或多个控制流被一个控制流代替。

6、泳道（swimlane）是活动图中的区域划分，根据每个活动的职责对所有活动进行划分，每个泳道代表一个责任区。关心的是其所代表的职责。

7、活动图用途：对业务过程进行建模。对某个方法具体过程建模。

8、状态与活动的区别：状态是一个对象所处的境况。通常是执行了一个（或多个）活动后的结局。活动是一段程序代码的执行，对应于若干个步骤的集成。不同的状态会导致不同的功能（对应于若干个活动）的执行。一个方法可能需要多个（也可以是一个）活动来完成。一个活动只能属于一个方法。一个用例对应于若干个活动。

五、交互建模（顺序图和协作图）

1、静态结构使用类图，动态结构使用顺序图、协作图、状态图、活动图。

2、对象：同类图中的对象，是类的实例

生命线：从对象图标向下延伸的一条虚线，表示对象存在的生命期 控制焦点（激活期）：对象执行一个动作的时间段 消息：对象间的一次通信

调用消息的发送者把控制传递给消息的接收者，然后停止活动，等待消息接收者放弃或返回控制。调用消息可以用来表示同步的意义。

3、顺序图一般对应一个用例。一个类中的职责对应该对象执行一个动作。

4、对象：同类图中的对象，是类的实例 ；链：对象之间的连接关系；消息：对象间的一次通信；对象生命周期：对象名称之后标以{new}约束表示创建对象，标以{destroy}约束表示销毁对象

5、协作图的建模同顺序图的建模，或者：可以从顺序图直接变换过来，或者：根据类图，画出对应的对象图。在链上附着消息。

6、顺序图和协作图的联系：都用于描述系统中对象之间的交互协作完成一项功能，彼此可以相互转换。区别：顺序图强调的是消息的时间顺序；协作图强调的是对象的空间位置关系。顺序图中有对象生命线和控制焦点；协作图中有路径，消息必须要有消息顺序号。顺序图可以表示生命线的分叉；协作图可以表示多对象、主动对象。

篇2：电路分析期末复习总结

任教班级：电子161班 任教老师：李焕娣

本学期期末考试经过学校的统一部署和严密组织，已经顺利结束。本班共有9名同学参加考试，无缺考。本次考试题目大部分都是课后习题，以及每个模块的重点，因此学生考试成绩比较理想。通过这次考试，反映出平时日常教学中一些问题，现结合学生成绩的分析及平时表现，认真思考，反思通过对这次考试结果，以便更好地指导下学期的工作。

（一）试卷分析

本次期末考试分为A卷和B卷。试卷为填空题、选择题、判断题、计算题和问答题，分值各为20分，基础知识部分难度适中，注重考查学生对基础知识的掌握及运用，学生做起来较得心应手。

（二）成绩分析

按照学校对学生知识目标的考查，完成特优目标3人，其他均超过校平均分。

（三）存在的问题

本次考试大致有以下几条：

（1）以往学生学习模拟电路的积极性很高，平时表现较令人满意，因此从思想上对学生的要求有所放松，对学生过于信赖，特别是进入复习阶段，学生的注意力向其他学科倾斜，花在学习模拟电路上的时间较少，没有拿出足够的时间进行复习与巩固，导致一些学生复习不扎实，落实不到位。

（2）本次试题题量较大，学生在做题过程中容易心浮气躁，特别是遇到计算题，烦躁的情绪影响了学生答题的思维，一些学生胡蒙计算题答案。

（四）改进措施

（1）利用学生手头上的资料，加强计算题训练，特别是限时训练。考试后，要求学生利用好模拟电路的PPT教程，每天练习计算题，要求注意加强方法，让学生正确认识计算的重要性，逐步提高计算技能。

（2）指导学生坚持养成良好的学习习惯，如课前预习，课后巩固，课上认真记笔记等，继续夯实基础知识的理解与运用，做到举一反三，融会贯通。

篇3：电路分析期末复习总结

1.有线性电阻的电路

线性电阻是指电阻阻值不随通过它的电流变化而变化的用电器。 求解由线性电阻组成的电路问题, 关键是弄清线性电阻的串、并联情况, 注意有效进行电路等效简化, 灵活应用闭合电路的欧姆定律和串并联电路的特点。

2.有非线性电阻的电路

非线性电阻是指电阻阻值不稳定, 随着通过的电流的变化而变化的用电器, 如“小灯泡”、“半导体二极管”等。 求解含有非线性电阻的电路问题, 关键是确定非线性电阻两端的电压和通过的电流大小的实际值。 一般方法是作出非线性电阻的伏安特性曲线和除了非线性电阻外其余部分电路的伏安特性曲线, 两条曲线的交点即为非线性电阻两端的实际电压U和通过的电流I。

3.动态电路

动态电路是指电路中因某个电阻阻值的变化、 或者电路中开关的闭合与断开等因素, 引起电路中电流、电压的变化的电路。 求解此类问题的基本思路:从引起阻值变化的这部分电路入手, 由电阻的串、并联特点判断总电阻R总的变化情况, 再由闭合电路的欧姆定律判断I总和U端的变化情况, 最后由部分电路欧姆定律确定各部分电路的相关物理量的变化情况。

4.有电动机的电路

电动机是非纯电阻性用电器, 它消耗的电能, 一部分转化为机械能, 另一部分转化为热能。 在高中阶段, 含有电动机的电路, 欧姆定律不适用, 一般选用能量守恒定律解题。

5.有电容器的电路

在恒定电路中, 当电容器处于充电、放电状态时, 电路处于不稳定状态。 当电容器充、放电结束后, 电路趋于稳定, 此时, 电容器相当于一个电阻无穷大的电路元件, 与电容器串联的电路处于断路状态。 求解含有电容器的电路问题, 关键在于弄清电路结构, 准确确定电容器两极板间的电压, 有时还要分析电容器两极板极性的变化。

6.有故障的电路

电路故障主要有断路和短路两种。 有故障的电路分析方法有电表检测法和假设分析法。

电表检测法一般使用电压表检测: (1) 断路故障检测法。先用电压表与电源并联, 若有电压, 再依次与某电路 (或某用电器) 并联;当电压表指针偏转时, 则这部分电路 (或该用电器) 发生断路。 (2) 短路故障检测法。 先用电压表与电源并联, 若有电压, 再依次与某电路 (或某用电器) 并联;当电压表示数为零时, 则这部分电路 (或该用电器) 发生短路。

假设分析法。 通过对某电路 (或某用电器) 假设发生断路或短路故障, 依据电路知识, 结合电路结构, 分析和判断可能出现的情况, 对照题设条件确定可能发生的故障。

7.与电磁感应相联系的电路

在磁场中做切割磁感线运动的导体或磁通量发生变化的回路会产生感应电动势, 将这部分导体或回路等效为电源, 再与其他的电阻构成闭合电路, 即为与电磁感应相联系的电路。求解这类与电磁感应相联系的电路问题, 关键要明确哪部分是等效电源, 明确电路的连接情况, 然后熟练应用法拉第电磁感应定律、闭合电路欧姆定律等规律求解。

8.与电场相联系的电路

与电场相联系的电路一般通过电路中接平行板电容器、带电的电容器会产生电场、 带电粒子在电场中运动等联系起来。 求解这类问题的关键是弄清电容器两端的电压与电路中哪部分电路或哪个电阻两端的电压相等, 再注意熟练应用闭合电路的欧姆定律和动力学规律。

9.与磁场相联系的电路

与磁场相联系的电路一般涉及平行板电容器, 通过在平行板电容器中加上磁场, 从而将磁场与电路联系起来。 求解这类问题的关键是弄清带电粒子在电容器内的磁场和电场中的运动情况, 弄清电容器两端的电压与哪部分电路两端的电压相等, 再灵活选用有关电路、电场和磁场的知识求解。

10.与光电效应相联系的电路

在电路中接上光电管, 光电管内的金属板在光照射下发生光电效应, 产生的光电子在平行板电容器的电场中运动, 这样就将光电效应与电路问题联系在一起。 求解时应注意综合应用光电方程、闭合电路欧姆定律和动力学规律。

篇4：集成电路制造工艺复习总结

主要内容

一集成电路制造工艺概况 二.晶体生长和晶片的制备 三.外延工艺 四.氧化工艺 五.掺杂工艺 六.光刻工艺 七.腐蚀工艺 八.金属化工艺 九.组装和封装工艺

十.微加工技术在其它领域的应用

为什么采用硅作为集成电路的材料，而不用锗？ 1.锗的漏电流大（原因:锗的禁带宽度小, 0.66eV)。2.硅器件工作温度高(150℃),锗为100℃。3.易生长高质量的氧化硅，氧化锗会水解。

4.锗的本征电阻率为47•cm，不能用于制造高击穿电压的整流器件，硅的本征电阻率为230000•cm。5.电子纯锗的锗成本是纯硅的十倍。

单晶硅的晶向与性质

1.（111）面

2.原子面密度最高，生长容易，3.氧化速度快

4.（100）面

5.二氧化硅界面缺陷密度低 6.表面迁移率高

7.实际晶向的选择取决于器件设计的考虑 8.双极电路－（111）9.MOS电路－（100）

硅的整形

1.硅锭 2.外部研磨

i.ii.直径磨削

磨主面（基准面）和第二平面（辅助面）

3.切成大圆片 4.腐蚀 5.抛光

硅热氧化设备与二氧化硅膜质量控制

常规热氧化方法

1.干氧氧化：Si+O2:高温加热

热氧化速率取决于氧原子在二氧化硅中的扩散速率，温度越高、扩散越快，二氧化硅层越厚。

特点：结构致密、干燥性和均匀性好、钝化效果好、掩蔽性能好，但总体反应速率慢；

2.水汽氧化：Si+H2O:高纯水、高温加热

由于水汽的进入，使氧化膜结构疏松，反应速率加快。所需水蒸气由高纯去离子水汽化或氢氧化合而成。

特点：反应速率快—水在二氧化硅中的平衡浓度大于氧气；结构疏松，含水量大，掩蔽性能不好，目前很少使用

常规热氧化方法

1.湿氧氧化：Si+H2O+O2:氧气携带去离子水产生的水蒸气（95-98℃）、高温加热；

特点：介于干氧和水汽氧化之间，实际应用时，常采用干氧-湿氢氧合成氧化：H2：O2=2：1 氧气须过量；

2.高纯氢-氧反应生成水，水汽化后与氧气一同参与反应。优点：膜质量好、均匀性好，但安全性控制较复杂。氧-干氧交替进行的方式，既保证膜质量又提高了氧化速率。

掺氯氧化

本质：在二氧化硅界面形成氯-硅-氧复合结构，保护结构不受钠离子影响而减少层错等缺陷的出现。

作用过程：在干氧氧化基础上，通入含氯化合物气体，提高器件电学性能和可靠性。

热氧化界面

热氧化设备-常规热氧化设备

特点：可同时氧化200片硅片，生产效率高，参数控制好。氢氧合成热氧化设备

安全措施：错误比例连锁保险和低温报警连锁保险装置； 空气中氢气含量4%-74.2%之间会发生爆炸。掺氯氧化设备

特点：氮气携带三氯乙烯进入反应室； 氮气作用：载流、提供压力； 氧化基本步骤

1.硅片送至炉管口，通氮气和少量氧气排杂 2.硅片送至恒温区，预热，控制升温速率5-30℃/min 3.通入大量氧气，开始氧化反应 4.按比例要求通入反应气体

5.停通其他气体、续通氧气，消耗残余反应气体 6.硅片拉至炉管口，降温处理，控制降温速率2-10℃/min 7.将处理好的硅片拉出炉管

其他生长方法

氧化和分解均可以获得二氧化硅，热分解含硅化合物也是形成二氧化硅的重要途径之一。

作用原理：以待加工硅片作为形成氧化膜层的淀积衬底，硅片本身不参与氧化膜形成。此外，陶瓷片、金属片等也可以作为衬底材料——低温”淀积” 淀积：

悬浮在液体或气体中的固态微粒发生连续沉降的现象。烷氧基硅烷热分解法

淀积得到的二氧化硅膜致密性不如热氧化生长的氧化膜，在淀积后应进行致密处理。操作注意事项：

1、确保系统密封性，不能漏气或堵塞；

2、源温和源流量须进行控制，d=kt；

3、源使用时间不宜太长，一旦变成黄色则不能使用；

4、硅片进炉后，应先抽真空，达到要求后方能通源；

断源后仍需抽气五分钟左右，才能排气；

硅烷热分解法

特点：气态副产物少，生长温度较低，氧化膜质量好 操作要点：

1、保证反应室整个淀积面积上的气流均匀，反应室和 横截面面积进行适当控制，对气体流量严格控制；

2、严格控制反应温度，以防发生爆炸；

3、注意使用安全，严格控制装置气密性，硅烷使用前进行

稀释（3%-5%）,如何稀释？  二氧化硅膜质量控制 二氧化硅膜质量要求：

宏观上：表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等现象；

微观上：厚度符合要求、均匀、结构致密，可移动钠离子含量低

二氧化硅质量检验

一、厚度测量 常用厚度测量方法：

比色法、腐蚀法、双光干涉法、电容电压法、椭圆偏振 光法等，不同测量方法的主要区别在于测量精度高低。厚度单位：埃

单位换算：毫米（mm)、微米（μm)、纳米（nm）、埃、微微米（pm)厚度测量-比色法

测量原理：不同厚度氧化膜在白光照射下会呈现出不同的干

涉颜色，利用金相显微镜观察并与标准比色样品进行对比，得出氧化膜厚度。

首先需预判氧化膜厚度范围，然 后对比标准比色样品得出厚度值。适 用于1000-7000埃之间的厚度，超过 7500埃则效果不明显。厚度测量-双光干涉法 测量原理：

利用光照射氧化硅台阶的不 同界面获得的干涉条纹数目 得到氧化层的厚度。作用过程：

1、制备氧化层台阶；

2、用可见光照射氧化物斜面；

3、依据显微镜下观测的干涉条纹数目计算二氧化硅厚度。厚度测量-双光干涉法 技术要点：

干涉条纹数目的确定； 氧化物斜面不能太窄；

干涉条纹应清晰可见；

局限性：不能测太薄的厚度（2000埃以上）；折射率确定? 厚度测量-椭圆偏振光法

作用原理：

光源发出的单色自然光，经过起偏器后，变成偏振光。转动起偏器可改变光速偏振方向，线偏振光经四分之一波片后变为椭圆偏振光，椭圆偏振光在待测样品表面反射后，光的偏振状态（偏振幅度和相位）发生变化，依据此变化可以测量样品的固有光学参数（折射率等）或样品膜厚度。偏振光与起偏器

光是一种电磁波，电磁波是横波。振动方向与波前进 方向构成的平面叫做振动面，光的振动面只限于某一固定 方向的，称为平面偏振光或线偏振光。

四分之一波片

一定厚度的双折射单晶薄片，当一束线偏振光垂直入射 到波片时，在波片中分解成沿原方向传播但振动方向互相 垂直的o光和e光。当光法向入射时，o光和e光之间相位差 等于π/2或其奇数倍，该晶片称为四分之一波片。椭圆偏振光

垂直于光传播方向的固定平面内, 光矢量的方向和大小都随时间

改变, 光矢量端点描出一个椭圆, 此偏振光称椭圆偏振光。用起 偏器获得线偏振光，当线偏振光垂直入射四分之一波片，且光 的偏振和晶片光轴面成θ角，出射后变成椭圆偏振光（θ=45 度时，为圆偏振光）。

二氧化硅膜缺陷检验

宏观缺陷：1.氧化层针孔-----氧化方法、硅片质量 2.表面氧化斑点----表面残留杂质：三个来源 3.氧化层厚度不均----原料不均、加热不均 微观缺陷：

1.钠离子沾污----主要来源于操作环境： 去离子水质量、石英管道、气体系统 所用化学试剂；

2.热氧化层错----层错核形成：固有点缺陷； 层错加剧：滑移与攀移； 与晶向有关； 热处理 热处理目的】

将材料放在一定的介质内进行加热、保温或冷却处理，通过改变材料表面或内部组织结构,来控制材料综合力学性能。金属材料主要热处理过程：

退火（软化）、正火（硬化）、淬火（钢化）、回火（韧化）等。

半导体材料主要热处理过程：

退火、硫化、熔流、固化等。退火处理 退火目的：

消除材料热加工过程中因缺陷而累积残余应力（内应力）。作用过程：将材料在适当温度下加热一段时间，利用热能进行部分晶格位置原子重排，降低缺陷密度。典型例子：离子注入 硅化反应 目的及原理：

作为集成电路引出线的铝、铜及其合金与硅界面极不稳定，常制备TiN扩散阻挡层阻挡两者间的原子扩散等界面反应，但TiN与硅接触导电性能差，因此增加一层导电性能好的 TiSi2，改善电极与硅的电接触性能。熔流及固化

在制备介质材料保护膜时，常采用硼磷硅玻璃（BPSG）。BPSG玻璃通常采用APCVD（常压化学气相淀积）或PECVD（等离子化学气相淀积）方法制得，淀积完成后的BPSG玻璃经加热熔融流动趋于平坦化、均匀化的过程称为熔流。

在较低温度下加热，使光刻胶中有机溶剂挥发的过程 称为固化。多用于多层金属薄膜间的绝缘介质层制备，常见 的应用是SoG（Spin on Glass)-旋涂玻璃膜。

快速热处理

1.快速热处理（Rapid Thermal Processing，RTP)是指将

硅晶片快速加热到设定温度，并进行短时间快速热量处理的 方法。

2.快速热处理可以满足需要短时间处理的工艺过程，适用 于使硅片的逐片加工、升降温速率极快和生产效率很高的场 合（自动化程度）。

篇5：期末复习总结作文

语文考了109.35 数学考了116 奥数考了48.5 英语考了98

快要语文考试前我的心特别紧张，但是紧张分又不能考高分，所以我就打了我肚子几锤。然后感觉心很稳定，就考好了。

快要奥数考试的时候我的心也特别紧张，然后到考试的时候，我一紧张就咬自己的手。我一疼就不紧张了。

快要数学考试的时候我的心既然不紧张，可是我经常走私第一到题算完了，竟把答案写在了第二题的上的面。然后就一着这样第三道题写到第四道题上面，第五道题写到第六道上面，然后感觉不对劲才发觉的，我的方法和奥数考试的时候一样——咬手一咬觉得疼就不像别的了。

快要英语考试的时候我有点骄傲，因为英语考试的时候我知道我的语文分数了，可是考得时候我也用了同样的方法，一疼就没事了。

篇6：小学期末复习总结

一是开好三会，营造氛围。

学校为营造积极浓厚的复习氛围，首先开好班子会，研究制定各年级期末复习措施，制定期末检测各年级目标。开好班主任会，做好动员，要求各班召开期末考试专题动员会，引导每个学生制定个人目标。开好教研组长会，引导教研组长带领本科教师确定复习重点难点，制定复习措施，个人制定学科复习计划。

二是做到四抓，提高效率。

为提高复习效率，学校做到四抓：抓集体备课，探讨复习课备课模式和环节架构。抓复习备课，突出备课的实用性和针对性。抓课堂教学，挂靠学校领导随堂听课，调研复习课堂，针对课堂上发现的问题及时给予指导。抓学生辅导，抓好优秀率和及格率，抓双线上线人数，采取抓两头带中间的策略，不叫一个掉队。

三是过好三关，查漏补缺。

章节过关，教师要组织章节过关检测，知识点无疏漏。堂堂过关，精心设计课堂过关检测，及时查补课堂疏漏。人人过关。教师都要实行人人过关制，做到每个学生没有知识疏漏，把知识条理化、系统化,形成知识网络，不叫一个学生掉队。

四是加强心理疏导，减轻心理压力。