国际水文科学研究的新进展

国际水文科学研究的新进展（通用12篇）

篇1：国际水文科学研究的新进展

船山学研究的新进展-王船山国际学术研讨会综述

为了纪念伟大的爱国主义者、伟大的思想家、哲学家王船山(本名夫之，湖南省衡阳人，1619――1692)逝世310周年，由国际中国哲学会、香港孔教学院、中华孔子学会、中国哲学史学会、武汉大学、湖北省社科联、湖南省社会科学院、湖南省社科联、船山学社、湘潭大学湘学研究所、南华大学、衡阳师范学院等单位发起。

作 者：王兴国  作者单位：湖南省社会科学院 刊 名：船山学刊 英文刊名：CHUANSHAN JOURNAL 年，卷(期)： “”(1) 分类号：B2 关键词： 

 

篇2：国际水文科学研究的新进展

近些年来，经济合作与发展组织国家中经济和社会的深刻变革促进了各国的教育改革。为了适应不断变革的经济和社会与教育的相互关系，经合组织制定了新的教育指标体系，将原来的22项指标扩展为36项。

新的教育指标体系划分为6类：即教育的人口、社会与经济背景，投入教育中的财力与人力资源，走进教育——参与和进步，从学校向职业过渡，教学环境与学校组织及学生成绩与社会职业状况。

新的教育指标中的数据来自于经合组织与教科文组织自1995年以来合作实施的“世界教育指标”项目。参加这一项目的还有许多发展中国家，其中包括中国。这一指标体系的制定，对于提高国际教育统计的质量和可比性具有十分重要的意义。

投入教育中的财力 在教育投入与效益之间的关系上，尽管人们普遍认为人力资源投资对促进经济发展、提高劳动生产率和发展人的个性上具有重大作用，但尚无理想的公式来确切计算其相关性。新的教育指标在此方面虽无突破，但有助于更好地认识教育的成本和投资的性质以及投资的效益。指标B1教育支出占国内生产总值的比例，便于全面了解用于教育资源的份额及其变化。指标B3教育的公共投入与私人投入是新增指标，从不同层次教育经费的不同来源透视教育投资与效益的相互关系。在该项统计中，我们可以看到私人对教育的投入占有一定的比重，并且有继续增大的趋势。在一些国家，如澳大利亚、加拿大、爱尔兰、意大利和荷兰，首先是国家给予私人领域较大幅度的`津贴，然后个人和企业再投资于教育，这种转移支付介于2．4％－7．3％。

私人对教育的投入 从私人对教育的投入范围看，更多的在高等教育。这种投入主要体现于学习的直接成本上，即支付大学生的学费。在半数经合组织国家中，私人投入占高等教育经费已达到20％以上。此外，大学生及其家庭对高等教育的间接投入，如学生的生活费用、书籍和学习材料的费用也随之增加。相反，用于改善学校条件的私人投入较少。

篇3：国际水文科学研究的新进展

一、国外关于国际学生跨文化心理适应的研究对象

国外关于国际学生跨文化心理适应研究的主要对象是美国、英国、澳大利亚、加拿大、爱尔兰、马来西亚等国家的国际学生, 其中多数研究对象是来自中国、韩国、台湾地区等硕士和博士研究生高学历群体, 国际学生就读的专业多以商科、理工科为主, 国外发达国家提供给国际学生的支持性教育条件较好。所以这些学生普遍的特点是英语基础好, 运用英语表达的能力和水平高;人格发展比较成熟, 自我管理和处理问题的能力强;学习先进知识和技能的主动性积极性高;将来留在国外工作和继续就读的愿望强烈等。因此, 从学生整体的跨文化适应上讲, 国外国际学生跨文化适应教育和管理的先天条件较好, 工作开展的难度较低。

另外, 从国外学者研究得出的结论来讲, 由于研究对象的特殊性, 其研究的理论成果和实践经验的适用性还有待验证, 尤其是指导我国国际学生教育和管理工作时更应该谨慎。目前我国国际学生多以本科生为主, 研究生数量很少, 他们的汉语水平普遍低, 国际学生专业主要以学习文科、商科、医学为主, 再加上国际学生对中国高校的资源紧缺和条件甚少满意, 尤其是发达国家的国际学生更是感到不适应, 主客观因素对他们跨文化心理适应的影响都存在, 国外跨文化心理适应的研究成果并不一定完全适合我国的情况, 不能直接照搬照抄。

二、国外关于国际学生跨文化心理适应的研究方法

欧美、澳大利亚等发达国家研究者目前采用的研究方法很多, 包括扎根理论研究方法、问卷调查方法、生活历史访谈法、人种学研究 (个人访谈和融入式观察) 、费尔克拉夫 (Fairclough) 的批判话语分析 (CDA) 的模型分析、叙事研究、关键事件法、个案研究等。以上这些研究方法的应用体现的方法论是文化建构主义心理学理论, 其主要观点认为, 文化和心理是相互灌注、相互建构的关系, 因而更加关注“心理”、“意义”与现实的相互建构过程, [1]表现在跨文化心理适应的研究方法中, 研究的重心经历文化情境的变化对心理健康的影响研究——文化敏感性和跨文化能力的培训研究———实地的参与式观察、情感表达和意义生成的实验研究三个过程, 目前的研究方法已经处于注重“心理”、“意义”与文化现实的相互建构的实验研究阶段, 其研究过程本身就是对国际学生跨文化心理适应的促进和帮助过程。

同国外相比, 我国跨文化心理适应研究方法多以传统的描述研究和泛泛的问卷调查为主, 少实质性的解决问题指向的研究方法的使用。通过CNKI、EBSCO数据库、google学术搜索等工具, 以“来华留学生”、“留学生”、“跨文化”、“跨文化心理适应”中文关键词共搜索1980年以来的论文70篇, 硕士博士论文24篇, 采用的研究方法多是以理论研究、实证研究、经验总结研究为主, 研究方法传统单一, 采用调查和访谈, 样本的选择随意性大, 样本自身差异太大, 得出结论的科学性有待检验。所以建议我国学者在今后的研究过程中, 诸如样本的选择上, 降低样本自身变量的差异, 区分学历生和非学历生, 短期生和长期生、本科生和研究生等样本特征;应该增加课堂观察、个案追踪等微观的具体研究方法的使用。

三、国外国际学生跨文化心理适应的影响因素研究

杨华 (Hua Yang, 音译) [2]基于定性建构主义的方法, 用“生活历史访谈法”采访了12名中国国际学生。调查中明确说明了道德问题、担保了知情同意和保密事项, 经过对数据的初期处理后, 确定了五个主题:第一, 社会和文化适应;第二, 语言障碍;第三, 人际关系;第四, 学术适应;第五, 对自我概念的认识。其分析的影响因素包括语言、社会文化、学习、人际沟通和自我调整等多方面, 比较全面。

赛尼尔·泼热欧 (Senel Poyrazl) 等[3]研究性格、性别、年龄、种族因素和国际学生的文化适应压力的相关, 调查的对象是一所美国大学的613名国际学生。结果显示, 只有神经质这一种性格和整体的文化适应压力显著相关。其研究注重的是国际学生自身客观因素影响的考察, 得出的结论与目前我国教师感受到的基本相同。

肯特·道尔·麦克劳德 (Kent Doehr, Mc Leod) [4]研究发现了参加者的个人世界观、婚姻状况、在美居留时间长短、宗教信仰、以前的国际经验等因素对减轻文化冲击存在值得关注的影响。然而, 英语、所在大学、社交程度的因素, 在国际学生适应压力的增加中占了重要的地位。韩国和美国的文化和民族的差异被发现是参加者学习过程中面对很大挑战的来源, 其研究突出了国际经验和文化差异对国际学生跨文化心理适应的影响。

克莉丝汀·J·叶 (Christine J.Yeh) 等[5]研究在一个359人的国际学生样本中探索了年龄、性别、所声称的英语水平、社交支持满意度、人际关系对文化适应压力的预测。结果显示, 来自欧洲的国际学生比来自亚洲、中南美洲和非洲的学生体验更少的文化适应压力。并且, 英语流利度、社交支持满意度和人际关系都可以预测文化适应压力。该研究强调文化相似性在国际学生跨文化心理适应中的重要作用。

四、国际学生跨文化心理适应的过程研究

黛布拉·A·克劳克兰 (Debra A.Mc Lachlan) 和贾斯蒂斯·杰西卡 (Justice Jessica) [6]通过扎根理论的方法, 分析揭示了国际学生是怎样克服所处环境的改变和文化、学术、社会的差异, 度过旅居期间由转变带来的冲击, 然后继续生活学习的;布朗·洛林 (Brown Lorraine) [7]采取人种学方法深入地对13名来自不同国家的国际学生进行个人访谈和对整个150名攻读硕士学位的研究生进行公开的融入式观察, 研究发现, 压力在旅学开始的初期最大。学生要在思乡和孤独的同时挣扎着应对外语运用、不熟悉的学术和社会文化环境的挑战, 可能是导致这种压力的原因, 他把适应过程归纳成这样的概念:这是一个不能预测的、动态的过程, 不同的人有不同的经历, 而且在整个旅居期间, 由于受到一系列个人的、文化的、外部因素的影响会反复波动。这种过程性的研究多从国际学生的跨文化经历和内心感受出发, 分析他们建构心理的过程, 为指导跨文化适应具有很强的实践操作价值。

五、国际学生跨文化心理适应的解决策略研究

1. 国际学生自身跨文化心理适应的积极态度和自我修复能力。

布朗·洛林[8]调查在英国攻读硕士学位的国际学生在英期间适应过程的人种学研究, 展示了国际学生转变的潜能。研究显示, 离开熟悉的家乡环境把学生从文化和家族的期待中解放了出来, 给了学生发现自我的机会。另一方面, 暴露在新的文化里给了他们一个提高跨文化交流技巧的机会;丽莎·康纳·摩尔斯 (Lisa Connor, Moores) [9]主要关注促进的因素、成长和个人资源;王晶 (Jing Wang, 音译) [10]探索各项快速恢复能力、背景差异、适应困难所在领域之间的关系, 得出快速恢复能力对适应能力的影响力最大, 快速恢复能力的特点和背景因素有轻微的相关, 与适应问题存在高的负相关, 与适应问题的相关比背景因素高。在快速恢复能力诸特点中, 最有力的预测因素是集中注意力和灵活的想法, 接着是自身的积极态度。以上跨文化适应策略的研究是从主体自身适应动力角度出发的, 强调自身积极态度、自我修复能力在跨文化心理适应中的重要性。

2. 国际学生跨文化心理适应课程设置。

郭国祯, 骆芳美 (Fang Mei Law, Gwo Jen Guo) [11]介绍了给1年级国际学生的为期1个学期的国际学生指导课程, 评估这个课程对帮助中国国际学生促进他们的心理健康状态的作用。为跨文化心理适应存在困难的学生开设专门的课程是解决适应困难学生的重要渠道, 尤其是对语言基础差的本科新生。

3. 国际学生跨文化心理适应人际支持网络。

叶佳丽 (Jiali Ye, 音译) [12]探索了文化适应压力、人际支持和网上少数族裔社交组的使用之间的关系, 结果说明对自己的人际支持网络更满意的学生更少感觉到歧视、憎恶和由改变引起的消极的感觉。国际学生一般自己租房居住, 除了上课, 和同学交往的机会很少, 人际支持网络是他们沟通、保持联系、增进情感的、互通信息的重要渠道。

4. 国际学生跨文化心理适应的团体咨询。

埃琳娜·S·矢蠡 (Elena S.Yakunina) 等[13]认为, 外国学生通常都会经历一些适应问题, 包括文化适应压力、语言困难、文化误解、种族歧视和社交支持的缺失。尽管如此, 很少有国际学生寻求个体咨询。这篇文章把团体咨询提出来, 作为一种解决国际学生适应问题的治疗办法。团体咨询是帮助国际学生跨文化适应的快捷有效的方法之一, 但是对教师的要求很高, 需要专业化的具有跨文化交际能力的教师来完成。

5. 国际学生跨文化心理适应的同伴帮助。

科尔文·卡珊德拉 (Colvin Cassandra) 和贾法尔·弗兹欧 (Jaffar Fozzil) [14]把活跃的国际学生小组的活动当作帮助国际学生策略的一个重要基础, 分配一个学生顾问主要去负责学生小组间的联系工作, 这种国际学生的同伴帮助的益处很大。朋辈辅导是心理辅导常用的方法之一, 建立国际学生新生老生互助小组, 可以帮助国际学生尽快度过跨文化适应期。

以上帮助国际学生跨文化心理适应的措施可操作性强, 有的要求专业化程度高, 有的经过适当培训即可。相比较而言, 我国跨文化心理适应的研究者提出的措施比较宽泛, 大都是观念导向, 缺少具体操作性的措施, 比如要加强汉语言培训, 要开展丰富多彩的民族文化活动, 要注重人文关怀和心理疏导, 要培养中外学生的跨文化沟通能力, 要营造方便舒适的生活和学习环境, 要提高留学生管理水平和教学队伍素质等。

篇4：中国国际产能合作不断取得新进展

中国国家电网公司近日在巴西宣布启动巴西美丽山特高压直流输电项目开工建设仪式，这是中国在海外中标的首个特高压输电项目，标志着中国特高压技术“走出去”取得重大突破。

而在日前，国网公司与巴基斯坦签署合作协议，以BOOT（建设、拥有、运行、移交）模式投资建设巴基斯坦输变电项目。通过项目建设，国家电网实现高压直流输电技术从设计、研发、制造、建设和运营等全套技术输出，为巴方提供整体性解决方案。

这只是中国企业加快推进国际产能和装备制造业合作的一个缩影。随着“一带一路”战略的实施，中国装备制造业加快“走出去”步伐。中国核电企业正在力推具有自主知识产权的“华龙一号”机组在海外落地，中国高铁在欧洲各地加速战略推进，中国南车也在加快步伐助推中国高铁装备“走出去”。

推动企业“走出去”，加强国际产能合作是中国政府大力推进的一项工作。

中国国务院近日发布的《关于推进国际产能和装备制造合作的指导意见》提出，推进国际产能和装备制造合作，是保持中国经济中高速增长和迈向中高端水平的重大举措，是推动新一轮高水平对外开放、增强国际竞争优势的重要内容。

“中国需要适应在从资本净流入国向净流出国转变的历史性变化，既要继续大力改善投资环境、吸引国际资本流入，又要加强引导，积极鼓励‘走出去，加强中国与世界的经贸联系。”商务部研究院世界经济研究所研究员周密说。

推进国际产能和装备制造合作已经成为中国经济发展的一大引擎。一季度，中国装备制造业对外直接投资持续增长，达到9.6亿美元。中国非金融类企业在全球143个国家和地区开展投资，境外直接投资额257.9亿美元，同比增长29.6%。

以国家电网为例，该公司所属南瑞集团、许继集团、平高集团、山东电工电气集团等装备制造企业的高端装备已进入巴西、德国、澳大利亚、南非、美国、韩国等80多个国家。2014年公司直属装备制造企业电工装备出口额30亿元人民币，同比增长29%；新签境外合同额13.2亿美元，同比增长22%。

推动装备和优势产能“走出去”也是打造外贸新动力的迫切需要。据海关总署新闻发言人郑跃声介绍，尽管当前中国出口竞争优势依然存在，但比较成本优势正在发生变化，包括劳动力、融资等经营成本持续上升，中国传统的产业竞争优势在削弱。与此同时，装备制造业正逐渐成为中国出口的重要增长点。

国家电网表示，将积极贯彻落实国家“一带一路”战略，依托特高压、智能电网核心技术和高端装备，加快能源电力领域中国技术、中国标准、中国品牌“走出去”步伐，提升“中国制造”新形象，打造中国装备参与全球市场竞争的新名片。

然而，中国企业在“走出去”过程中并非一帆风顺，既面临歧视性壁垒、整治动荡等客观障碍，也面临盲目投资等问题。

篇5：国际水文科学研究的新进展

电动机损耗和效率测试的国际标准新进展

详细介绍了近年来国际电工委员会(IEC)对<三相笼型异步电动机损耗和效率的确定方法>多次修订的几个版本情况,并结合我国相关标准的现状进行了分析.对于高效率电动机,如何更准确地测定电动机效率就显得尤为重要.对应IEC标准的`修订,我国应作好相应准备,与国际接轨.

作 者：黄国治 HUANG Guo-zhi 作者单位：上海电器科学研究所(集团)有限公司,上海,63刊 名：电机与控制应用 ISTIC PKU英文刊名：ELECTRIC MACHINES & CONTROL APPLICATION年，卷(期)：33(2)分类号：N65 TM343.2关键词：异步电动机 效率测试 标准

篇6：国外自尊问题研究的新进展

自尊的研究越来越受重视,研究者发现自尊的实质是集动机、缓冲器、结果于一体的`.对自尊的稳定性的研究发现,自尊稳定性的发展呈“U”状.在童年时期,稳定性较低,随后有所发展,在中年达到顶峰即最稳定的时期后,又有所下降.

作 者：王丽红  作者单位：山东省经济管理干部学院,山东,济南,250014 刊 名：山东行政学院山东省经济管理干部学院学报 英文刊名：JOURNAL OF SHANDONG ADMINISTRATION INSTITUTE & SHANDONG ECONOMIC MANAGEMENT PERSONNEL INSTITUTE 年，卷(期)： “”(3) 分类号：B848.4 关键词：自尊   自尊的实质   自尊的稳定性  

篇7：大脑功能一侧化研究的新进展

大脑功能一侧化研究的新进展

80年代初,大脑两半球功能活动一侧化现象的`基本发现引起了人们对心理活动机制的许多推测.近期的研究对这一问题有了一些新的认识:分离后的左右脑可能不存在“双重意识”;左右脑半球有可能都介入了视觉空间信息的加工;正常人左右脑半球的机能优势活动存在复杂的时间―空间动态一侧化关系.

作 者：蔡厚德  作者单位：南京师范大学,教育科学学院,江苏,南京,210097 刊 名：南京师大学报(社会科学版)  PKU CSSCI英文刊名：JOURNAL OF NANJING NORMAL UNIVERSITY(SOCIAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： “”(3) 分类号：B845 Q189 关键词：大脑功能一侧化   双重意识   视觉-空间信息加工   时间-空间动态一侧化关系  

篇8：国际水文科学研究的新进展

第27届国际电接触会议于2014年6月22日至26日在德国德累斯顿的国际会议中心召开, 这是国际电接触会议自1961年创立至今第四次在德国举办, 之前的举办地分别为慕尼黑、柏林和纽伦堡。本次会议到会代表近300人, 分别来自23个国家, 其中德国153人, 法国23人, 日本20人, 美国和加拿大13人, 中国11人, 瑞士11人, 另外荷兰、韩国、意大利、印度、新加坡、波兰、英国、挪威、捷克、阿尔及利亚、瑞典、俄罗斯、奥地利等国也有代表参会。我国参会单位包括哈尔滨工业大学、北京邮电大学、华中科技大学、福州大学、河北工业大学等高校和部分企业代表。

国际电接触会议是关于电气工程、电子工程和通讯工程中涉及的电接触材料研发、电接触应用以及相关领域的科技交流平台。本次论文稿件共计118篇, 其中宣读论文70篇, 展板论文48篇。整个会议的宣读环节共分为12个部分, 分别是基础研究、触点材料 (熔焊方面) 、电连接器、直流电弧开断、电连接器触点、触点材料 (真空与难熔触点方面) 、滑动电接触 (微动方面) 、可靠性与环境、建模与仿真、功率电接触、新技术、电弧开断 (材料方面) 等。展板论文的内容详见第27届国际电接触会议论文集。

本次会议还分别为Paul Slade博士 (美国) 和Manfred Lindmayer博士 (德国) 颁发了Albert-Keil奖, 以表彰他们几十年来在电接触领域所作的贡献。之后Paul Slade博士和Manfred Lindmayer博士分别做了题为《真空断路器的发展与应用》和《高温超导限流器的仿真》的专题学术报告。

2 新型电接触材料的研究

2.1 触点材料

法国美泰乐 (Metalor) 公司与德国优美科 (Umicore) 公司均提出了在原有的Ag Sn O2触点材料中添加微量磁性颗粒Bi2O3抑制电侵蚀与熔焊的方法[1,2], 其中美泰乐公司试验研究了Ag W材料 (动触头) 分别与Ag Cd O、Ag Sn O2、Ag Zn O材料 (静触头) 配对后在断路器上的应用效果[3], 优美科公司试验比较了Ag Sn O2、Ag Zn O、Ag Sn O2Bi2O3Cu O、Ag Sn O2Bi2O3WO3等不同材料成分的动熔焊性能[2]。瑞士日内瓦大学针对Ag Cd O、Ag Mo S2、Ag WS2、Ag CNT等触点材料闭合状态1000~12 000 A脉冲直流条件下的静熔焊力做了比较[4]。

ABB公司提出了在Cu Cr触头中渗入Si的新型真空断路器用触点材料, 并证明了Si具有弥补Cr粒子表面缺陷、增加Cr与Cu间的界面强度和短路电流分断能力[5]。波兰创新技术研究所报道了Cu Mo复合材料应用于低压交流接触器触头系统的实验研究, 并认为其较银基触点材料在经济性、接触电阻和开断能力方面应用的优异性[6]。

2.2 镀层材料

在节约金材料的工业需求背景下, 优美科电镀公司和TE公司分别报道了无氰化物银钯层的快速电镀技术, 并指出该技术适用于卷带式连续电镀工艺, 抗磨损能力与硬度均优于硬金镀层[7,8]。TE公司另外报道了对现有铜基电镀Ni+Au层进行Sn+Ni+Au层改良的技术方法, 在环境试验中证明了该方法可抑制镀层表面上铜的爬行腐蚀现象, 认为Sn+Ni+Au镀层材料具有低且稳定的接触电阻[9]。日本电装株式会社 (DENSO) 报道了在铜基底上电镀类金刚石碳纳米复合材料的方法, 并实验说明了其磨损过程中接触电阻和摩擦系数具有的优异性能[10]。

2.3 表面结构改良

TE公司报道了将插孔表面特制为正弦波形状后可使得接触电阻降低, 同时接触压力与电流密度分布律一致的优点也将使接触面温度低而稳定[11]。这种改进也可使基体铜带厚度、镀层厚度和接触压力降低, 因此具有良好的推广前景。此外, 德国萨尔大学报道了应用激光表面微造型技术改良镀层表面, 可使接触电阻及其滞回特性降低[12]。

3 电接触材料性能的模拟实验技术

电接触科学是一门实验科学, 主要涉及电接触材料的制备、加工、测试、工程设计、应用以及相关失效分析等方面的科学与技术。电接触材料制备完成后所需的基本物理性能 (密度、硬度、弹性模量、电导率、热导率等) 测试需要专门的实验设备, 加工成片材、铆钉等成品后仍然需要精密的专业测试设备进行产品质量检验、电接触性能 (接触电阻与接触力载荷的关系曲线、抗熔焊能力、抗磨损能力、抗电弧烧蚀能力等) 考核, 待应用至开关电器中需要参照相关电器试验标准进行产品的寿命与可靠性试验测试与评价。

上述三种实验关注点的差异决定了所采用的模拟实验设备及实验方法的区别。纵观历届国际电接触会议和美国的IEEE霍尔姆电接触会议, 国外报道的丰富的实验数据和所得的结论均是以完备的电接触材料性能模拟实验技术为基础, 经过长期的不间断的更新所得到的。可以肯定地说, 研究所需的实验设备均为特殊专用化测试设备, 在市场上很难购置。开关电器的功能要求决定了其所用的触点材料主要关注的参数通常包括开断电流能力、接触电阻、接触温升、熔焊力、烧蚀率等, 而电连接器所用的电接触材料则主要侧重于接触电阻、摩擦系数、磨损率、腐蚀性、应力松弛、疲劳等。

本次会议中国外报道的关于触点材料抗熔焊能力的实验分析结果 (包括分断过程中产生的熔焊力及其概率分布) , 触点材料在力加载、卸载过程中接触电阻的滞回特性, 镀层微动磨损过程中导致的接触电阻和摩擦力 (摩擦系数) 的退化特性、以及振动应力环境、温度应力环境条件下的电接触性能退化, 均采用其多年以来自制的实验室用测试系统完成。虽然相关主要测量结果的不确定度目前仍无法估计, 但是这些材料性能模拟实验系统的出现可直接为触点材料或镀层材料性能的表征与评价提供技术手段。有兴趣的读者可参阅论文集获得这些模拟实验系统的主要功能及技术指标。

4 信号类电接触失效分析技术

信号类电接触专指低电压、低电流条件下传递弱电信号的特殊应用。随着信息技术的发展, 这种应用已呈增多趋势。然而已有经验表明, 该类电接触失效与触点表面污染、腐蚀关系密切。因此相关的表面分析技术, 如SEM (扫描电子显微镜) 、XPS (X射线光电子能谱) 、TOF-SIMS (飞行时间二次离子质谱仪) 、AP (原子探针) 、AFM (原子力显微镜) 、He IM (氦离子显微镜) 、FIB (聚焦离子束) 、TEM (透射电子显微镜) 、LEIS (低能离子散射) 、AES (俄歇电子谱) 、LA-ICP-MS (激光剥蚀电感耦合等离子体质谱仪) 、FT-IR (拉曼-傅里叶变换红外光谱仪) 、XRD (X射线衍射) 、XRF (X射线荧光) 等已可应用于现有的电接触失效问题。上述表面分析技术特点各异, 可单独或配合使用, 为相关电接触失效分析研究提供技术支持[13,14]。

5 其他

篇9：菌根学研究新进展

方向和前景.

作 者：刘润进 黄艺 林先贵 LIU Run-jin HUANG Yi LIN Xian-gui 作者单位：刘润进,LIU Run-jin(青岛农业大学菌根生物技术研究所,青岛,266109)

黄艺,HUANG Yi(北京大学环境科学与工程学院,北京,100871)

林先贵,LIN Xian-gui(中国科学院南京土壤研究所土壤与持久农业国家重点实验室,南京,210008)

篇10：半导体材料研究的新进展(精)

(中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京 100083 摘要:首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,GaSe 2、CuIn(Se,S等以及发展迅速的有机半导体材料等。关键词:半导体材料;量子线;量子点材料;光子晶体

中图分类号:TN304.0文献标识码:A

文章编号:1003-353X(200203-0008-05 New progress of studies on semiconductor materials WANG Zhan-guo(Lab.of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences , Beijing 100083,China Abstract:The strategic position and important role of semiconductor materials, as a core and foundation of the information society, for development of national economic, national safety and society progress

are analyzed first in this paper.Then the present status and future prospects of studies on semiconductor materials such as silicon crystals, III-V compound semiconductor materials and GaAs,InP and silicon based superlattice and quantum well materials, quantum wires and quantum dots materials, microcavity and photonic crystals, materi-als for quantum computation and wide band gap materials as well are briefly discussed.Finally the suggestions for the development of semiconductor materials in our country are proposed.II-VI narrow and wide band gap materials, solar cell materials and organic materials for optoelectronic devices etc.are not included in this article.K e y w o r d s: semiconductor materials;quantum wire;quantum dot materials;photonic materials 1半导体材料的战略地位

本世纪中叶,半导体单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业革命,深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式,彻底改变了人们的生活方式。70年代初,石英光导纤维材料和GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料及其G a A s激光器的发明,促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业,使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功,彻底改变了光电器件的设计思想, 使半导体器件的设计与制造从过去的“杂质工程”发展到“能带工程”,出现了以“电学特性和光学特性可剪裁”为特征的新范筹, 使人类跨入到量子效应

*国家基础研究发展规划项目(G2000068300 8

和低维结构特性的新一代半导体器件和电路时代。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会高技术产业的基础材料。它的发展将会使通信、高速计算、大容量信息处理、空间防御、电子对抗以及武器装备的微型化、智能化等这些对于国民经济和国家安全都至关重要的领域产生巨大的技术进步, 受到了各国政府极大的重视。下面就几种主要的半导体材料研究进展作一简单地介绍。2几种主要半导体材料的发展现状与趋势

2.1硅材料

从提高硅集成电路成品率,降低成本看,增大直拉硅(CZ-Si单晶的直径仍是今后CZ-Si发展的总趋势。目前直径为8英寸(200m m的S i 单晶已实现大规模工业生产,基于直径为12英寸(300m m硅片的集成电路(I C技术正处在由实验室向工业生产转变中。目前已有一个300mm硅片的超达规模集成电路(U L S I试生产线正在运转,另外几个试生产线和一个生产线业已建成。预计2001年300mm, 0.18µm 工艺的硅ULSI生产线将投入规模生产,300mm, 0.13µm工艺生产线也将在2003年完成评估。直径18英寸硅片预计2007年可投入生产,直径27英寸硅单晶研制也正在积极筹划中。日本1999年,国内生产6~12英寸的硅单晶为7000吨(8000亿日元。18英寸重达414公斤的硅单晶和18英寸的硅园片也已研制成功。

从进一步提高硅IC的速度和集成度看,研制适合于硅深亚微米乃至纳米工艺所需的大直径硅外延片会成为硅材料发展的主流。目前, 直径8英寸的硅外延片已研制成功,更大尺寸的外延片也在开发中。

理论分析指出,30n m左右将是硅M O S集成电路线宽的“极限”尺寸。这不仅是指量子尺寸效应对现有器件特性影响所带来的物理限制和光刻技术的限制问题,更重要的是将受硅、S i O 2 自身性质的限制。尽管人们正在积极寻找高K介电绝缘 材料(如用Si

3N 4 等来替代SiO 2 , 低K介电互连材

料,用C u代替A l引线以及采用系统集成芯片

(system on a chip技术等来提高ULSI的集成度、运算速度和功能, 但硅将最终难以满足人类不断的对更大信息量需求。为此,人们正在寻求发展新材料、新技术,如,纳米材料与纳米电子、光电子器件、分子计算机、D N A生物计算机、光子计算机和量子计算机等。其中,以G a A s、I n P 为基的化合物半导体材料,特别是纳米半导体结构材料(二维超晶格、量子阱,一维量子线与零维量子点材料以及可与硅平面工艺兼容GeSi合金材料等是最有希望的替补材料之一。

2.1GaAs和InP单晶材料

G a A s和I n P是微电子和光电子的基础材料,为直接带隙,具有电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐照等特点,在超高速、超高频、低功耗、低噪音器件和电路,特别在光电子器件和光电集成方面占有独特的优势。

目前,世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨(日本1999年的GaAs单晶的生产量为94吨, G a P为27吨,其中以低位错密度的V G F和H B 方法生长的2~3英寸的导电GaAs衬底材料为主;近年来,为满足高速移动通信的迫切需求,大直径(4,6 和8英寸的SI-GaAs发展很快,4英寸70cm长,6英寸35cm长和8英寸的半绝缘砷化钾(S I-G a A s也在日本研制成功。美国摩托罗拉公司正在筹建6英寸的SI-GaAs 集成电路生产线。预计1998~2003年,GaAs外延片市场以每年30%的速度增长(SI-GaAs 片材1998年销售为1.24亿美元。InP具有比GaAs 更优越的高频性能,发

展的速度更快;但不幸的是,研制直径3英寸以上大直径的InP单晶的关键技术尚未完全突破,价格居高不下。

GaAs和InP单晶的发展趋势是:(1增大晶体直径,目前3~4英寸的SI-GaAs已用于大生产,预计21世纪初的头几年直径为6英寸的SI-GaAs也将投入工业应用。(2提高材料的电学和光学微区均匀性。(3 降低单晶的缺陷密度,特别是位错。

(4GaAs和InP单晶的VGF生长技术发展 2.3半导体超晶格、量子阱材料

半导体超薄层微结构材料是基于先进生长技术(M B E,M O C V D的新一代人工构造材料。它

Semiconductor T echnology Vol.27 No.3 March 20029 以全新的概念改变着光电子和微电子器件的设计思想,即从过去的所谓“杂质工程”发展到

“能带工程”,出现了“电学和光学特性可剪裁”为特征的新范畴,是新一代固态量子器件的基础材料。

2.3.1 III-V族超晶格、量子阱材料

GaAlAs/GaAs,GaInAs/GaAs, AlGaInP/ GaAs;GaInAs/InP,AlInAs/InP, InGaAsP/InP 等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟,已成功地用来制造超高速,超高频微电子器件和单片集成电路。高电子迁移率晶体管(H E M T, 赝高电子迁移率晶体管(P-HEMT器件最好水平已达f max =600GHz, 输出功率58m W,功率增益6.4d B;双异质结晶体管

(H B T的最高频率f max 也已高达500G H z,H E M T 逻辑大规模集成电路研制也达很高水平。基于上述材料体系的光通信用1.3µm和1.5µm的量子阱激光器和探测器,红、黄、橙光发光二极管和红光激光器以及大功率半导体量子阱激光器已商品化;表面光发射器件和光双稳器件等也已达到或接近达到实用化水平。目前,研制高质量的1.5µm 分布反馈(DFB 激光器和电吸收(EA 调制器单片集成InP基多量子阱材料和超高速驱动电路所需的低维结构材料是解决光纤通信瓶颈问题的关键,在实验室西门子公司已完成了80×40Gbps传输40km 的实验。另外,用于制造准连续兆瓦级大功率激光阵列的高质量量子阱材料也受到人们的重视。

虽然常规量子阱结构端面发射激光器是目前光电子领域占统治地位的有源器件,但由于其有源区极薄(约0.01µm

端面光电灾变损伤,大电流电热烧毁和光束质量差一直是此类激光器的性能改善和功率提高的难题。采用多有源区量子级联耦合是解决此难题的有效途径之一。法国汤姆逊公司1999年新研制出三有源区带间级联量子阱激光器,2000年初, 在美国召开的SPIE会议上, 报道了单个激光器准连续输出功率超过10W的好结果。我国早在70年代就提出了这种设想,随后又从理论上证明了多有源区带间隧穿级联、光子耦合激光器与中远红外探测器,与通常的量子阱激光器相比,具有更优越的性能,并从1993年开始了此类新型红外探测器和激光器的实验研究。1999年初,980nm InGaAs新型激光器输出功率以达5W 以上,包括量子效率、斜率效率等均达当时国际最好水平。最近, 又提出并开展了多有源区纵向光耦合垂直腔面发射激光器研究,这是一种具有高增益、极低阈值、高功率和高光束质量的新型激光器,在未来光通信、光互联与光电信息处理方面有着良好的应用前景。

为克服pn结半导体激光器的能隙对激光器波长范围的限制,基于能带设计和对半导体微结构子带能级的研究,1994年美国贝尔实验室发明了基于量子阱内子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器,突破了半导体能隙对波长的限制,成功地获得

了3.5~17µm波长可调的红外激光器,为半导体激光器向中红外波段的发展以及在遥控化学传感、自由空间通信、红外对抗和大气质量监控等应用方面开辟了一个新领域。中科院上海冶金所和半导体所在此领域也进行了有效的研究,中科院上海冶金研究所于1999年研制成功120K 5µm 和250K 8µm的量子级联激光器;中科院半导体研究所于2000年又研制成功3.7µm室温准连续应变补偿量子级联激光器,使我国成为能研制这类高质量激光器材料为数不多的几个国家之一。

目前,III-V族超晶格、量子阱材料作为超薄层微结构材料发展的主流方向,正从直径3英寸向4英寸过渡,生产型的MBE(如Riber的MBE6000和VG Semicon的V150 MBE 系统, 每炉可生产9×4英寸,4×6英寸或45×2英寸;每炉装片能力分别为80×6英寸,180×4英寸和64×6英寸,144×4英寸;A p p l i e d E P I M B E的GEN2000 MBE系统, 每炉可生产7×6英寸片, 每炉装片能力为182片6英寸和MOCVD设备(如AIX 2600G3,5×6英寸 或9×4英寸,每台年生产能力为3.75×104片4英寸或1.5×104片6英寸;AIX 3000的5×10英寸或25×4英寸或95×2英寸也正在研制中已研制成功,并已投入使用。EPI MBE研制的生产型设备中,已有50kg的砷和10kg的钾源炉出售,设备每年可工作300天。英国卡迪夫的M O C V D中心、法国的P i c o g i g a M B E基地、美国的Q E D公司、M o t o r o l a公司、日本的富士通、N T T、索尼等都有这种外延材料出售。生产型的M B E 和M O C V D 设备的使用, 趋势与展望 10 必然促进衬底材料和材料评价设备的发展。2.3.2硅基应变异质结构材料

硅基光电子器件集成一直是人们所追求的目标。但由于硅是间接带隙,如何提高硅基材料发光效率就成为一个亟待解决的问题。不幸的是,虽经多年研究,但进展缓慢。人们目前正致力于探索硅基纳米材料(纳米Si/SiO ,硅基SiGeC体系 的Si 1-y C y /Si 1-x Ge x 低维结构,Ge/Si量子点和量子点

超晶格材料, Si/SiC 量子点材料, GaN/BP/Si以及GaN/Si材料。最近,在GaN/Si上成功地研制出L E D发光器件的报道,使人们看到了一线希望。

另一方面, GeSi/Si应变层超晶格材料, 因其在新一代移动通信上的重要应用前景, 而成为目前硅基材料研究的主流。GeSi/Si 2DEG材料77K电子迁移率已达1.7×105c m2/V s。S i/G e S i M O D F E T a n d M O S F E T 的最高截止频率已达200G H z,H B T最高振荡频率为160G H z,噪音在10GHz下为0.9dB,其性能可与G a A s器件相媲美,进一步的发展还有赖于同Si 和 GaAs的竞争结果!GeSi材料生长方法主要有Si-MBE, CBE和超低压C V D三种,从发展趋势看,U H V/C V D(超低压C V D方法有较大优势,目前这种淀积系统已经具备工业生产能力。

尽管GaAs/Si和InP/Si是实现光电子集成最理想的材料体系,但由于晶格失配和热膨胀系数等不同造成的高密度失配位错而导致器件性能退化和失效是在该材料实用化前必需克服的难题。最近,Motolora等公司宣称,他们在12英寸的硅衬底上,用钛酸锶作缓冲层,成功的生长了器件级的G a A s外延薄膜,取得了突破性的进展。

2.4 一维量子线、零维量子点半导体微结构材料[1,2] 基于量子尺寸效应、量子干涉效应,量子隧穿效应和库仑阻效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造(通过能带工程实施的新型半导体材料,是新一代量子器件的基础。它的应用,极有可能触发新的技术革命。这类固态量子器件以其固有的超高速(10-12~10-13s、超高频(1000G H z、高集成度(1010电子器件/ c m2、高效低功耗和极低阈值电流(亚微安、极高量子效率、极高增益、极高调制带宽、极窄线宽和高的特征温度以及微微焦耳功耗等特点在未来的纳米电子学、光子学和新一代VLSI等方面有着极其重要的应用背景,得到世界各国科学家和有远见高技术企业家的高度重视。

目前低维半导体材料生长与制备主要集中在几个比较成熟的材料体系上如GaAlAs/GaAs, In(Ga As/GaAs, InGaAs/InAlAs/GaAs, InGaAs/InP,In(GaAs/InAlAs/InP,InGaAsP/InAlAs/InP以及GeSi/Si等,并在量子点激光器,量子线共振隧穿,量子线场效应晶体管和单电子晶体管和存储器研制方面,特别是量子点激光器研制取得了重大进展。应变自组装量子点材料与量子点激光器的研制已成为近年来国际研究热点。1994年俄德联合小组首先研制成功I n A s/G a A s量子点材料, 1996年量子点激光器室温连续输出功率达1W,阈值电流密度为290A/cm2,1998年达1.5W,1999年InAlAs/InAs量子点激光器283K温度下最大连续输出功率(双面高达3.5W。中科院半导体所在继1996年研制成功量子点材料,1997年研制成功的量子点激光器后,1998年初,三层垂直耦合InAs/ G a A s量子点有源区的量子点激光器室温连续输出功率超过1W,阈值电流密度仅为218A/c m2, 0.61W工作3000小时后,功率仅下降0.83dB。其综合指标,特别是器件寿命这一关键参数,处于国际领先水平。2000年初,该实验室又研制成功室温双面CW输出3.62W工作波长为960nm左右的量子点激光器,为目前国际报道的最好结果之一。

在单电子晶体管和单电子存储器及其电路的研制方面也获得了重大进展,1994年日本NTT 就研制成功沟道长度为30n m 纳米单电子晶体管,并在150K观察到栅控源-漏电流振荡,1997年美国又报道了可在室温工作的单电子开关器件,1998年Yauo等人采用0.25µm工艺技术实现了128Mb的单电子存储器原型样机的制造,这是在单电子器件在高密度存储电路的应用方面迈出的关键一步。目前,基于量子点的自适应网络计算机业已取得进展。其他方面的研究正在深入地进行中。

低维半导体结构制备的方法虽然很多,但从总体来看,不外乎自上而下和自下而上两种。细分起来主要有:微结构材料生长和精细加工工艺

趋势与展望

Semiconductor T echnology Vol.27 No.3 March 200211 相结合的方法, 应变自组装量子线、量子点材料

生长技术,图形化衬底和不同取向晶面选择生长技术, 单原子操纵和加工技术, 纳米结构的辐照制备技术,及其在沸石的笼子中、纳米碳管和溶液中等通过物理或化学方法制备量子点和量子线的技术。目前发展的主要趋势是寻找原子级无损伤加工方法和应变自组装生长技术,以求获得无边墙损伤的量子线和大小、形状均匀、密度可控的量子点材料。

2.5宽带隙半导体材料

宽带隙半导体材主要指的是金刚石、III族氮化物、碳化硅、立方氮化硼以及I I-V I族硫、锡碲化物、氧化物(Z n O等及固溶体等,特别是SiC、GaN 和金刚石薄膜等材料,因具有高热导率、高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点,成为研制高频大功率、耐高温、抗辐照半导体微电子器件和电路的理想材料,在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景。另外,III族氮化物也是很好的光电子材料,在蓝、绿光发光二极管(LED和紫、蓝、绿光激光器(LD以及紫外探测器等应用方面也显示了广泛的应用前景[3]。随着1993年GaN材料的p型掺杂突破,GaN基材料成为蓝绿光发光材料的研究热点。1994年日本日亚公司

研制成功G a N基蓝光L E D,1996年实现室温脉冲电注入InGaN量子阱紫光LD,次年采用横向外延生长技术降低了GaN基外延材料中的位错,使蓝光LD室温连续工作寿命达到10000小时以上。目前,大约有10个小组已研制成功GaN基 LD, 其中有几个小组的LD已获得CW 工作,波长在400~450nm 之间,最大输出功率为0.5W。在微电子器件研制方面,G a N基F E T 的最高工作频率f m a x 已达 140G H z,f T

= 67 G H z,跨导为260m S/m m;H E M T器件也相继问世,发展很快。1999年G a N 基LED销售已达30亿美元!此外,256×256 GaN 基紫外光电焦平面阵列探测器也已研制成功。特别值得提出的是,日本Sumitomo 电子工业有限公司2000年宣称,他们采用热力学方法已研制成功2英寸GaN 单晶材料,并预计2001年将有商品出售。这一突破性的进展,将有力地推动蓝光激光

器和G a N基电子器件的发展。另外,近年来具有

反常带隙弯曲的窄禁带InAsN,InGaAsN,GaNP 和GaNAsP材料的研制也受到了重视,这是因为它们在长波长光通信和太阳能电池等方面显示了重要应用前景。

以Cree公司为代表的体SiC单晶的研制业已取得突破性进展, 2英寸的4H和6H-SiC单晶与外延片,以及3 英寸的4H-SiC单晶已有商品出售;以SiC为GaN基材料衬低的蓝绿光LED业已上市,参与以蓝宝石为衬低的G a N基发光器件的竞争,其他SiC相关高温器件的研制也取得了长足的进步。目前存在的主要问题是材料中的缺陷密度高,且价格昂贵。

II-VI族蓝绿光材料研制在徘徊了近30年后,于1990年美国3M公司成功地解决了II-VI族的p 型掺杂难点而得到迅速发展。1991年3M公司利用M B E技术率先宣布了电注入(Z n,C dS e/ ZnSe蓝光激光器在77K(495nm脉冲输出功率100mW的消息,开始了II-VI族蓝绿光半导体激光(材料器件研制的高潮。紧接着布朗大学和普渡大学的Jeon等人在n和p型GaAs衬底或GaAs缓冲层上制备了以(Zn,CdSe/ZnSe多量子阱为有源区,Z n(S,S e/Z n S e为异质结限制层的蓝光激光器(470n m,250K脉冲工作,阈值电流密度J th =850A/c m2,输出功率为600m W;1992年3M公司又研制成功了以Z n S e为有源区, J th =320A/cm2,在室温下脉冲输出100mW的蓝光半导体激光器,但寿命都很短。与GaAs晶格匹配的ZnMgSSe四元材料体系的研制成功可使(ZnCdSe的带隙调至约4.5e V,这使II-VI激光器的波长可覆盖蓝光和绿光范围,同时也在一定程度上克服了高失配位错导致的LD 寿命短难题。采用以CdZnSe为阱,ZnMgSe为波导层,四元Z n M g S S e为盖层的Z n S e基LD结构,使其LD寿命稳步增长。据最近报导,ZnSe基II-VI族蓝绿光LD的寿命已达1000小时以上,但同G a N基蓝-绿光L D相比,相差仍很大。目前, ZnSe基II-VI族材料研究重点是弄清退化机理(已提出的退化模型有层错和点缺陷相关模型等,最近的研究表明,点缺陷相关退化模型(电子和

(下转第14页 趋势与展望 12

趋 势 与 展 望 交流有关半导体制造设备、材料研究开发以 及 标 准 的 最 新 商 务 和 技 术 发 展 动 向，内容丰富、新颖，如全球设备市场状况和预测、低 Ｋ 介质沉 积和腐蚀工艺的集成模块，先进的栅技术，用低 Ｋ 介质的 １ ３ ０ ｎ ｍ Ｃ Ｍ Ｐ 工艺的监测，铜引线工艺集 成模块，工艺材料现状与预测，从 １ ３ ０ ｎ ｍ 跨入 １ ０ ０ ｎ ｍ，用于芯片倒扣焊的下填料技术的发展，硅晶片标准的最新进展，小于 ０．１８µｍ 技术用低密 度等离子体工艺等等。被邀请来的将包括 Ｔ ｏ ｋ ｙ ｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｌｔｄ．，上海先进（ＡＳＭＣ），上海宏力半 导体制造（Ｇ ｒ ａ ｃ ｅ）ｄ ｖ ａ ｎ ｔ ｅ ｓ ｔ，Ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｅ ｄ，Ａ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，ＡＳＭ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，ＥＳＥＣ，ＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ，Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｔｅｒａｄｙｎｅ等来自世界领先半导体制造（上接第 １ ２ 页）技术公司的行政官员和技术骨干应邀演讲。根据 ＳＥＭＩ 中国活动协调小组的任务宗旨，多 年来在国内有关企业的积极配合下，与 ＳＥＭＩ 的合 作 不 断 加 强，经 双 方 共 同 努 力，使 Ｓ Ｅ Ｍ Ｉ Ｃ Ｏ Ｎ Ｃ Ｈ Ｉ Ｎ Ａ 已成为国内外半导体行业界和企业间互相 学习，共同促进，协同发展的交流平台，为中国 半导体产业的发展起到了积极的推动作用。２ ０ ０ ２’Ｓ Ｅ Ｍ Ｉ Ｃ Ｏ Ｎ

Ｓ Ｈ Ａ Ｎ Ｇ Ｈ Ａ Ｉ 又将是半导体 行 业 界 互 相 交 流，企 业 相 聚 的 盛 会，《半导体技 术》预 祝 大 会 圆 满 成 功。本文根据 ＳＥＭＩ中国活动协调小组秘书处提供 材料整理 空穴通过点缺陷的非辐射复合的声子发射增强缺陷 反应）是导致 Ｚ ｎ Ｓ ｅ 基材料体系寿命短的主要机 制。为此，提出了用 Ｂ ｅ 同 Ｖ Ｉ 族元素的化合物所 具有的强键能来硬化晶格的措施，虽有进展，但 尚未取得突破。总的来看，提高有源区材料的完 整性，特别是要降低由非化学配比导致的点缺陷 密度是该材料体系走向实用化前必需要解决的问 题，当然，进一步降低失配位错和解决欧姆接触 等问题也是很重要的。宽带隙半导体异质结构材料往往也是典型的大 失配异质结构材料，所谓大失配异质结构材料是 指晶格常数、热膨胀系数或晶体的对称性等物理 参数有较大差异的材料体系，如 Ｇ ａ Ｎ ／ 蓝宝石，ＳｉＣ／Ｓｉ 和 ＧａＮ／Ｓｉ 等。大晶格失配引发界面处大量 位错和缺陷的产生，极大地影响着微结构材料的 光电性能及其器件应用。如何避免和消除这一负 面影响，是目前材料制备中的一个迫切要解决的 关键问题。９

０ 年代以来，国际上提出了多种解决 方法，虽有进展，但未能取得重大突破。我们基 于缺陷工程、晶面特征与表面再构、晶体结构对 称性和生长动力学等方面的考虑，提出了柔性衬底的 概念，并在 ＺｎＯ／Ｓｉ、γ－Ａｌ ２ Ｏ ３ ／Ｓｉ、ＳｉＣ／Ｓｉ 和 ＧａＮ／ Ｓｉ 等异质结构材料准备方面取得了进展。这个问 题的解决，必 将 极 大 地 拓 宽 材 料 的 可 选 择 余 地，开辟新的应用领域。目前，除 ＳｉＣ 单晶衬低材料，ＧａＮ 基蓝光 ＬＥＤ 材料和器件已有商品出售外，大多数高温半导体 材料仍处在实验室研制阶段，不少影响这类材料 发展的关键问题，如 ＧａＮ、ＺｎＯ 等体单晶材料、宽 带隙 ｐ 型掺杂和欧姆电极接触，单晶金刚石薄膜生 长与 ｎ 型掺杂，ＩＩ－ＶＩ 族材料的退化机理等仍是制 约这些材料实用化的关键问题，国内外虽已做了 大量的研究，至今仍未取得重大突破。（待续）英特尔安腾 ｄ 处理器列入新加坡生物医学网的重要候选平台 英特尔公司今天与新加坡生物信息学研究所 签 署 合 作 备 忘 录，成 为 新 加 坡 政 府 生 物 医 学 项 目 的 技 术 合 作 伙 伴。新 加 坡 生 物 信 息 学 研 究 所 是新加坡的科学、技术和研究机（Ａ ＊ Ｓ Ｔ Ａ Ｒ）投 资 的 一 家 研 究 所。作 为 协 议 的 一 部 分，英特 尔将向新加坡生物信息学研究所提供一系列服 14 半导体技术第 ２７ 卷第 ３ 期 务，包 括 优 先 获 得 关 键 英 特 尔 技 术、对 主 要 研 究人员的专业高级培训、以及提供现场顾问咨 询，帮 助 新 加 坡 政 府 加 快 推 进 多 项 生 物 技 术 计 划。新加坡生物信息学研究所将评估英特尔 ｄ 安 腾 ｄ 处理器家族，并将其列入新加坡生物医学网 的候选平台。二 Ｏ Ｏ 二年

篇11：认知和情绪相互作用研究的新进展

心理学者关于认知与情绪的关系以及在情绪的产生中是否需要以认知为中介等问题,持有不同的观点,新近提出的`MEM理论较好的解决了这种分歧.关于情绪状态对认知的影响的研究主要集中在记忆领域,基本上是沿两条路线展开的:一是心境依存记忆,另一是心境一致记忆.

作 者：王新 杜秀芳 作者单位：王新(聊城大学教育系,山东聊城,252059)

杜秀芳(山东师范大学教育科学学院,山东济南,250011)

篇12：国际脂代谢紊乱治疗新进展

1 他汀类药物的优势

在心血管病的防治领域, 他汀类药物的重要作用无可置疑, 但其并非万能。与其他药物相似, 他汀也具有不足之处和局限性。正确认识并合理规避不足之处, 对更好发挥他汀类药物的优势具有积极作用。近年来, 他汀不断遭遇各种挑战。这些挑战既有主观因素, 也有客观因素;既有他汀本身所固有的缺陷, 也有来自其外部环境原因。与此同时, 在心血管病防治受到空前重视的今天, 他汀也面临着许多新机遇。近期美国、欧盟药品监督管理部门先后发布了有关他汀类药品安全性信息。警示他汀类药品的不良反应和药物相互作用, 并修定了药品说明书。他汀类药物 (Statins) 即3-羟基-3-甲基戊二酰辅酶A还原酶抑制剂 (3-hydroxy-3-methylglutaryl Co-enzyme A Reductase Inhibitors, HRI) 为一类临床广泛使用的口服降脂药。国内上市的他汀类产品包括:辛伐他汀、洛伐他汀、普伐他汀、瑞舒伐他汀、阿托伐他汀、氟伐他汀、匹伐他汀。他汀类药品的优势无法替代, 降脂作用也无可替代。在脂代谢异常中低密度脂蛋白胆固醇 (LDL-C) 降低1.0 mmol/L, 心血管事件下降20%。LDL-C降低2~3 mmol/L将使心血管事件风险降低40%~50%。美国科学家Mills等[2]进行的荟萃分析表明, 与安慰剂相比, 他汀类药物可使全因死亡、心血管死亡、致死性心梗、非致死性心梗和卒中风险分别下降10%、20%、18%、26%和14% (均达到统计学显著性差异) 。Mills等[2]发现强化降脂可进一步降低全因死亡和心血管死亡的风险。他汀类药物临床使用中, 获益人群逐渐扩大, 对心血管保护作用不存在性别差异[3]。他汀类药物在降低胆固醇水平的同时, 可显著改善慢性肾病 (CKD) 患者的预后。在CKD患者一级预防中, 他汀类药物可使心血管复合终点事件、心源性死亡、全因死亡风险分别降低35%、27%、41%;在CKD患者二级预防中, 他汀类药物可使上述风险分别降低34%、40%和46%。

安全性被进一步证实一系列回顾性人群分析表明, 他汀类药物并不增加癌症风险。Hackam等[4]对24万余例患者进行的荟萃分析表明, 即使是在脑血管病患者中, 他汀类药物并不增加脑出血风险。多效性表明, 他汀类药物多效性在经皮冠脉介入治疗 (PCI) 围术期心脏保护中最明确。Patti等[3]发现, PCI术前大剂量他汀药物治疗可使围术期心梗风险降低44%, 30 d心血管不良事件风险降低44%, 尤其在老年人、单只病变PCI、稳定性心绞痛、未使用血小板糖蛋白 (GP) Ⅱb/Ⅲa受体拮抗剂、急性冠脉综合征 (ACS) 、C反应蛋白 (CRP) 水平升高患者中更明显。最新荟萃分析表明, 应用他汀可使心脏性猝死风险降低10%, 非突发心脏死亡风险降低22%。Pai等发现, 他汀可降低静脉血栓栓塞性事件风险。Fröhlich等发现, 他汀治疗还可显诸降低心脏移植术后患者恶性肿瘤的发生率。

2 他汀类药物的不足

2.1 肌肉

肌肉毒性是他汀类药物主要副作用, 也是临床实践中导致患者不耐受和停药的重要原因。大剂量他汀类药物治疗的患者中10.5%有肌肉症状[5]。药物剂量与肌病发生直接相关, 同时强化他汀治疗导致肌酸激酶 (CK) 严重升高风险显著增加。尤其是老年人 (特别是年龄≥80岁) 、患多系统疾病 (尤其是糖尿病) 、肝或肾功能不全等均是发生他汀相关性肌病的危险因素。

2.2 肝脏

接受起始和中等剂量他汀治疗的患者中, 肝酶升高>3倍正常上限者<1%, 但使用大剂量他汀时>2%~3%。大多发生于治疗后的前3个月, 停药后下降[6]。所以在治疗期间, 应监测氨基转移酶水平, 但无须常规监测肝功能。肝毒性的表现包括黄疸、肝肿大、直接胆红素水平升高、凝血酶原时间延长反映肝脏的损伤情况[7]。

2.3 肾脏

多项研究发现, 他汀类药物有一定的肾脏保护作用。但也有研究显示, 大剂量他汀治疗后患者出现非损伤性一过性蛋白尿风险增加, 机制尚未完全阐明。美国食品与药物管理局 (FDA) 曾发表声明, 患者在接受他汀治疗期间建议监测患者肾功能, 对CKD患者应根据其肾功能情况选择合适治疗方案[8]。如患者出现血肌酐升高而无横纹肌溶解, 无需停药, 但需调整剂量。如患者出现蛋白尿也无需停药, 但须查明原因。

2.4 血糖异常

血糖异常为他汀类新的不良反应。临床实验及个例报告发现, 该类药品可引起患者血糖异常, 表现为空腹血糖水平升高、糖化血红蛋白水平升高、新发糖尿病、糖尿病血糖控制恶化等。为此欧盟和美国药品监督部门先后对此风险进行了评估, 并得出相似的结论, 认为他汀类的使用与新发糖尿和糖化血红蛋白升高, 空腹血糖水平升高存在较为明确的相关性[9,10]。尽管如此, 欧盟评估结论认为, 与他汀类治疗出现的糖尿病病例相比, 在相同治疗期间内, 该药品可减少更多的死亡或心肌梗死、卒中或冠状动脉血运重建病例[11]。因此他汀类药物的获益-风险比是正向的。检索世界卫生组织药品不良反应数据库和比较阿托伐他汀, 瑞舒伐他汀的血糖异常报告比例较高。

2.5 调脂

常规剂量他汀仅能使部分患者胆固醇达标, 对甘油三酯升高和高密度脂蛋白胆固醇降低患者的治疗作用较弱。为提高达标率尽可能需要增加剂量或联合用药, 这将不可避免的增加安全性问题。

3 发展机遇

3.1 应用不足

我国心血管病患者及其高危人群调查显示, 接受他汀类药物治疗的比例非常低。高危和极高危患者LDL-C达标率分别为39%和23%, 诸多具备他汀适应证的患者未得到治疗[12]。所以今后的临床工作中与科普宣教中, 应进一步强调他汀类药物在心血管病防治中的重要作用, 促进其临床的应用。

3.2 多效性

近年来, 国内外相继更新的指南均更加重视降低LDL-C的重要性, 他汀是降胆固醇作用最强、改善患者预后证据最充分的药物。指南推荐, 对于有适应证的人群, 应早期、长期应用他汀治疗, 并使LDL-C达标[13]。另外, 除显著降低胆固醇水平外, 他汀还具有削弱栓塞状态、抑制炎症反应 (CRP) 下降、稳定斑块、恢复正常内皮细胞功能、减少血管内巨噬细胞内中胆固醇的合成、抑制血管内巨噬细胞的增殖和迁移、抗氧化应激、保护血管内皮、抗凝、抗血小板等作用, 也逐渐受到关注[14]。有研究证实, 他汀的多效性对改善患者预后具有积极意义进一步巩固了其临床地位。

3.3 应用范围不断扩大

基于重多研究证据, 他汀已被视为预防与治疗动脉粥样硬化性心血管病的重要手段[15]。对于心血管病患者及其高危人群, 即使血脂检查各项指标无明显异常, 接受他汀治疗仍可显著减少心血管事件发生。降低LDL-C水平可以使主要心血管事件风险显著降低, 即使患者基线LDL-C<2.0 mmol/L, 应用他汀治疗仍有相似幅度的获益。CTT荟萃分析显示, 无论冠心病患者胆固醇水平如何, 均应予以他汀治疗[16]。这将进一步拓展他汀类药物的应用范围。

3.4 合理应用

不应过度关注肝毒性而影响他汀的应用。国内外相关指南推荐, 不伴肝脏损害其他证据的单纯性轻中度转氨酶升高 (其中绝大多数属于非酒精性脂肪肝) 并非应用他汀的禁忌证[17]。相反, 由于非酒精性脂肪肝与动脉粥样硬化性心血管病具有许多共同的病理生理机制, 如胰岛素抵抗、氧化应激反应、脂代谢紊乱和脂质过氧化等, 应用他汀治疗不仅不会加重肝脏损害, 反而具有潜在的治疗作用。2012年2月美国食品与药物管理局 (FDA) 发布声明, 建议接受他汀治疗的患者无须常规监测肝功能[18]。该声明认为, 他汀治疗过程中的肝损害发生率很低, 且常规监测肝功能并不能减少肝损害的发生[18]。上述更新将进一步促进他汀类药物更广泛地临床应用。

3.5 高危和极高危患者

降脂基线不应以LDL-C水平已经接近甚至低于正常值为准。现有证据显示, 对于上述类型患者不能达到理想的LDL-C下降幅度则难以达到稳定或消退动脉粥样硬化斑块的目的。高危患者 (冠心病等危症或10年心血管风险10%~15%) 应将LDL-C水平降至<2.59 mmol/L, 极高危患者 (急性冠脉综合征或冠心病合并糖尿病患者) 应将LDL-C水平降至<2.07 mmol/L[19]。因此, 若患者心血管风险增加, 即使其胆固醇水平未超过化验单中所谓的“正常值”上限, 也应及时启动他汀治疗。瑞舒伐他汀与阿托伐他汀作用比较研究显示, 无论用药前LDL-C水平如何 (即使达标水平) , 使其降低40%~50%才能使动脉粥样硬化斑块消退[20]。提高他汀治疗覆盖率对减少不良心血管事件发生具有积极意义。

3.6 联合用药

已发生动脉粥样硬化的极高危患者, 在使用他汀类药物和调整生活方式的基础上, 如甘油三酯水平仍>2.3 mmol/L, 应考虑他汀类和贝特类药物联合使用, 以使血脂达标, 改善患者预后。经他汀治疗血脂水平达标后应审慎停用他汀, 部分患者停用他汀治疗, 这将使患者的心血管危险性重新升高。只要患者能够耐受, 应建议其长期坚持他汀治疗, 将LDL-C水平持久控制在目标值以下。只有这样, 才能更为有效地降低患者心血管事件风险。

总之, 在心血管防治领域, 他汀的地位坚如磐石, 但也面临诸多挑战。只要尊重临床研究证据, 遵循指南原则, 积极应对各种挑战, 合理应用他汀, 即可进一步发挥他汀的优势。青年时代健康教育对减少高血脂至关重要。改变生活方式, 健康饮食改善血脂, 减少饮食中的饱和脂肪和反式脂肪, 增加膳食纤维有直接降低胆固醇作用。鼓励运动、减少过多的体重、戒烟、适度飲酒对降低血脂和甘油三酯水平有良好影响。