电脑技术故障精华总结（精选6篇）
篇1：电脑技术故障精华总结
DDR SDRAM技术总结
Platform H/W: RiverShao
2004-6-16 摘要：
本文将介绍DDR SDRAM的一些概念和难点，主要结合上一篇SDRAM的介绍加以对比。同时着重讲解主流DDRII的技术。最后结合硬件设计提出一些参考。关键字：DDR, SDRAM，内存模组，DQS
目 录
概述...........................................................................................................................................2 DDR的基本原理.....................................................................................................................2 DDR SDRAM与SDRAM的不同..........................................................................................4 3.1 差分时钟...................................................................................................................5 3.2 数据选取脉冲（DQS）...........................................................................................6 3.3 写入延迟...................................................................................................................8 3.4 突发长度与写入掩码...............................................................................................9 3.5 延迟锁定回路（DLL）...........................................................................................9 DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ................................................................................................................11 4.1 DDR-Ⅱ内存结构...................................................................................................12 4.2 DDR-Ⅱ的新操作与新时序设计...........................................................................13 4.3 DDR-Ⅱ未来发展与DDR-Ⅲ................................................................................18 内存模组.................................................................................................................................24 5.1 内存模组的分类.....................................................................................................24 5.2 未来模组的技术发展.............................................................................................25 4 5
1 概述
DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。也正因为如此，DDR能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手RDRAM，成为当今的主流。由于SDRAM的结构与操作在上文已有详细阐述，所以本文只着重讲讲DDR的原理和DDR SDRAM相对于传统SDRAM（又称SDR SDRAM）的不同。
DDR SDRAM可在一个时钟周期内传送两次数据 DDR的基本原理
我们看DDR正规的时序图。
DDR SDRAM读操作时序图
从中可以发现它多了两个信号： CLK#与DQS，CLK#与正常CLK时钟相位相反，形成差分时钟信号。而数据的传输在CLK与CLK#的交叉点进行，可见在CLK的上升与下降沿（此时正好是CLK#的上升沿）都有数据被触发，从而实现DDR。在此，我们可以说通过差分信号达到了DDR的目的，甚至讲CLK#帮助了第二个数据的触发，但这只是对表面现象的简单描述，从严格的定义上讲并不能这么说。之所以能实现DDR，还要从其内部的改进说起。
DDR内存芯片的内部结构图，注意比较上文中SDRAM的结构图
这也是一颗128Mbit的内存芯片，标称规格也与前文的SDRAM一样为32×4bit。从图中可以看出来，白色区域内与SDRAM的结构基本相同，但请注意灰色区域，这是与SDRAM的不同之处。首先就是内部的L-Bank规格。SDRAM中L-Bank存储单元的容量与芯片位宽相同，但在DDR SDRAM中并不是这样，存储单元的容量是芯片位宽的一倍，所以在此不能再套用讲解SDRAM时 “芯片位宽=存储单元容量” 的公式了。也因此，真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。
以本芯片为例，在读取时，L-Bank在内部时钟信号的触发下一次传送8bit的数据给读取锁存器，再分成两路4bit数据传给复用器，由后者将它们合并为一路4bit数据流，然后由发送器在DQS的控制下在外部时钟上升与下降沿分两次传输4bit的数据到输出。这样，如果时钟频率为100MHz，那么在I/O端口处，由于是上下沿触发，那么就是传输频率就是200MHz。
这就是DDR SDRAM的工作原理，这种内部存储单元容量（也可以称为芯片内部总线位宽）=2×芯片位宽（也可称为芯片I/O总线位宽）的设计，就是所谓的两位预取（2-bit Prefetch），有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。
3 DDR SDRAM与SDRAM的不同
DDR SDRAM与SDRAM的不同主要体现在以下几个方面。
DDR SDRAM与SDRAM的主要不同对比表
（上图可点击放大）
DDR SDRAM与SDRAM一样，在开机时也要进行MRS，不过由于操作功能的增多，DDR SDRAM在MRS之前还多了一EMRS阶段（Extended Mode Register Set，扩展模式寄存器设置），这个扩展模式寄存器控制着DLL的有效/禁止、输出驱动强度、QFC 有效/无效等。
由于EMRS与MRS的操作方法与SDRAM的MRS大同小异，在此就不再列出具体的模式表了，有兴趣的话可查看相关的DDR内存资料。下面我们就着重说说DDR SDRAM的新设计与新功能。
3.1 差分时钟
差分时钟（参见上文“DDR SDRAM读操作时序图”）是DDR的一个必要设计，但CK#的作用，并不能理解为第二个触发时钟（你可以在讲述DDR原理时简单地这么比喻），而是起到触发时钟校准的作用。由于数据是在CK的上下沿触发，造成传输周期缩短了一半，因此必须要保证传输周期的稳定以确保数据的正确传输，这就要求CK的上下沿间距要有精确的控制。但因为温度、电阻性能的改变等原因，CK上下沿间距可能发生变化，此时与其反相的CK#就起到纠正的作用（CK上升快下降慢，CK#则是上升慢下降快）。而由于上下沿触发的原因，也使CL=1.5和2.5成为可能，并容易实现。
与CK反相的CK#保证了触发时机的准确性
3.2 数据选取脉冲（DQS）
DQS是DDR SDRAM中的重要功能，它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片都有一个DQS信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由北桥发来的DQS信号，读取时，则由芯片生成DQS向北桥发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。
我们分别从数据的读和写两个方面来分析DQS的不同作用。
读数据过程
在读取时，DQS与数据信号同时出现（也是在CK与CK#的交叉点）；即在读取时，DQS的上/下沿作为数据周期的分割点。但是数据有效却是在DQS的高/低电平期中部，也就是CK的中间。
DDR内存中的CL也就是从CAS发出到DQS生成的间隔，数据真正出现在数据I/O总线上相对于DQS触发的时间间隔被称为tAC。注意，这与SDRAM中的tAC的不同。实际上，DQS生成时，芯片内部的预取已经完毕了，tAC是指上文结构图中灰色部分的数据输出时间，由于预取的原因，实际的数据传出可能会提前于DQS发生（数据提前于DQS传出）。由于是并行传输，DDR内存对tAC也有一定的要求，对于DDR266，tAC的允许范围是±0.75ns，对于DDR333，则是±0.7ns，有关它们的时序图示见前文，其中CL里包含了一段DQS的导入期。
写数据过程
在写入时，以DQS的高/低电平期中部为数据周期分割点，而不是上/下沿。但数据的接收触发有效却为DQS的上/下沿。这和上面的读DDR的过程正好相反。
为什么会有这种差异？在写的过程，如果以DQS的上下沿区分数据周期的危险很大。由于芯片有预取的操作，所以输出时的同步很难控制，只能限制在一定的时间范围内，数据在各I/O端口的出现时间可能有快有慢，会与DQS有一定的间隔，这也就是为什么要有一个tAC规定的原因。而在接收方，一切必须保证同步接收，不能有tAC之类的偏差。这样在写入时，芯片不再自己生成DQS，而以发送方传来的DQS为基准，并相应延后一定的时间，在DQS的中部为数据周期的选取分割点（在读取时分割点就是上下沿），从这里分隔开两个传输周期。这样做的好处是，由于各数据信号都会有一个逻辑电平保持周期，即使发送时不同步，在DQS上下沿时都处于保持周期中，此时数据接收触发的准确性无疑是最高的。
3.3 写入延迟
在上面的DQS写入时序图中，可以发现写入延迟已经不是0了，在发出写入命令后，DQS与写入数据要等一段时间才会送达。这个周期被称为DQS相对于写入命令的延迟时间（tDQSS，WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS），对于这个时间大家应该很好理解了。
为什么要有这样的延迟设计呢？原因也在于同步，毕竟一个时钟周期两次传送，需要很高的控制精度，它必须要等接收方做好充分的准备才行。tDQSS是DDR内存写入操作的一个重要参数，太短的话恐怕接受有误，太长则会造成总线空闲。tDQSS最短不能小于0.75个时钟周期，最长不能超过1.25个时钟周期。有人可能会说，如果这样，DQS不就与芯片内的时钟不同步了吗？对，正常情况下，tDQSS是一个时钟周期，但写入时接受方的时钟只用来控制命令信号的同步，而数据的接受则完全依靠DQS进行同步，所以DQS与时钟不同步也无所谓。不过，tDQSS产生了一个不利影响——读后写操作延迟的增加，如果CL=2.5，还要在tDQSS基础上加入半个时钟周期，因为命令都要在CK的上升沿发出。
（上图可点击放大）
当CL=2.5时，读后写的延迟将为tDQSS+0.5个时钟周期（图中BL=2）
另外，DDR内存的数据真正写入由于要经过更多步骤的处理，所以写回时间（tWR）也明显延长，一般在3个时钟周期左右，而在DDR-Ⅱ规范中更是将tWR列为模式寄存器的一项，可见它的重要性。
3.4 突发长度与写入掩码
在DDR SDRAM中，突发长度只有2、4、8三种选择，没有了随机存取的操作（突发长度为1）和全页式突发。这是为什么呢？因为L-Bank一次就存取两倍于芯片位宽的数据，所以芯片至少也要进行两次传输才可以，否则内部多出来的数据怎么处理？而全页式突发事实证明在PC内存中是很难用得上的，所以被取消也不希奇。
但是，突发长度的定义也与SDRAM的不一样了（见本章节最前那幅DDR简示图），它不再指所连续寻址的存储单元数量，而是指连续的传输周期数，每次是一个芯片位宽的数据。对于突发写入，如果其中有不想存入的数据，仍可以运用DM信号进行屏蔽。DM信号和数据信号同时发出，接收方在DQS的上升与下降沿来判断DM的状态，如果DM为高电平，那么之前从DQS中部选取的数据就被屏蔽了。有人可能会觉得，DM是输入信号，意味着芯片不能发出DM信号给北桥作为屏蔽读取数据的参考。其实，该读哪个数据也是由北桥芯片决定的，所以芯片也无需参与北桥的工作，哪个数据是有用的就留给北桥自己去选吧。
3.5 延迟锁定回路（DLL）
DDR SDRAM对时钟的精确性有着很高的要求，而DDR SDRAM有两个时钟，一个是外部的总线时钟，一个是内部的工作时钟，在理论上DDR SDRAM这两个时钟应该是同步的，但由于种种原因，如温度、电压波动而产生延迟使两者很难同步，更何况时钟频率本身也有不稳定的情况（SDRAM也有内部时钟，不过因为它的工作/传输频率较低，所以内外同步问题并不突出）。DDR SDRAM的tAC就是因为内部时钟与外部时钟有偏差而引起的，它很可能造成因数据不同步而产生错误的恶果。实际上，不同步就是一种正/负延迟，如果延迟不可避免，那么若是设定一个延迟值，如一个时钟周期，那么内外时钟的上升与下降沿还是同步的。鉴于外部时钟周期也不会绝对统一，所以需要根据外部时钟动态修正内部时钟的延迟来实现与外部时钟的同步，这就是DLL的任务。
DLL不同于主板上的PLL，它不涉及频率与电压转换，而是生成一个延迟量给内部时钟。目前DLL有两种实现方法，一个是时钟频率测量法（CFM，Clock Frequency Measurement），一个是时钟比较法（CC，Clock Comparator）。CFM是测量外部时钟的频率周期，然后以此周期为延迟值控制内部时钟，这样内外时钟正好就相差了一个时钟周期，从而实现同步。DLL就这样反复测量反复控制延迟值，使内部时钟与外部时钟保持同步。
CC的方法则是比较内外部时钟的长短，如果内部时钟周期短了，就将所少的延迟加到下一个内部时钟周期里，然后再与外部时钟做比较，若是内部时钟周期长了，就将多出的延迟从下一个内部时钟中刨除，如此往复，最终使内外时钟同步。
CFM式DLL工作示意图
CC式DLL工作示意图
CFM与CC各有优缺点，CFM的校正速度快，仅用两个时钟周期，但容易受到噪音干扰，并且如果测量失误，则内部的延迟就永远错下去了。CC的优点则是更稳定可靠，如果比较失败，延迟受影响的只是一个数据（而且不会太严重），不会涉及到后面的延迟修正，但它的修正时间要比CFM长。DLL功能在DDR SDRAM中可以被禁止，但仅限于除错与评估操作，正常工作状态是自动有效的。DDR-Ⅱ与DDR-Ⅲ
DDR-Ⅱ相对于DDR 的主要改进如下：
DDR-Ⅱ与目前的DDR对比表
由于DDR-Ⅱ相对DDR-I的设计变动并不大，因此很多操作就不在此详细介绍了，本文重点阐述DDR-Ⅱ的一些重要变化。
4.1 DDR-Ⅱ内存结构
DDR-Ⅱ内存的预取设计是4bit，通过DDR的讲述，大家现在应该知道其含义。
上文已经说过，SDRAM有两个时钟，一个是内部时钟，一个是外部时钟。在SDRAM与DDR时代，这两个时钟频率是相同的，但在DDR-Ⅱ内存中，内部时钟变成了外部时钟的一半。以DDR-Ⅱ 400为例，数据传输频率为400MHz（对于每个数据引脚，则是400Mbps/pin），外部时钟频率为200MHz，内部时钟频率为100MHz。因为内部一次传输的数据就可供外部接口传输4次，虽然以DDR方式传输，但数据传输频率的基准——外部时钟频率仍要是内部时钟的两倍才行。就如RDRAM PC800一样，其内部时钟频率也为100MHz，是传输频率的1/8。
DDR-Ⅱ、DDR与SDRAM的操作时钟比较
所以，当预取容量超过接口一次DDR的传输量时，内部时钟必须降低（除非数据传输不是DDR方式，而是一个时钟周期4次）。如果内部时钟也达到200MHz，那外部时钟也要达到400MHz，这会使成本有大幅度提高。因此，DDR-Ⅱ虽然实现了4-bit预取，但在实际效能上，与DDR是一样的。在上面那幅比较图中，可以看出厂商们的一种误导，它虽然表示出在相同的核心频率下，DDR-Ⅱ达到了两倍于DDR的的带宽，但前提是DDR-Ⅱ的外部时钟频率也是DDR和SDRAM的两倍。在DDR的时钟频率已经达到166/200MHz的今天，再用100MHz去比较，显然意义不大。这点也请大家们注意识别，上图更多的是说明DDR-Ⅱ内外时钟的差异。毕竟内部时钟由外部决定，所以外部时钟才是比较的根本基准。
总之，现在大家要明确认识，在外部时钟频率相同的情况下，DDR-Ⅱ与DDR的带宽一样。
4.2 DDR-Ⅱ的新操作与新时序设计
1、片外驱动调校（OCD，Off-Chip Driver）
DDR-Ⅱ内存在开机时也会有初始化过程，同时在EMRS中加入了新设置选项，由于大同小异，在此就不多说了。在EMRS阶段，DDR-Ⅱ加入了可选的OCD功能。OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值。目的是让DQS与DQ数据信号之间的偏差降低到最小。调校期间，分别测试DQS高电平/DQ高电平，与DQS低电平/DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级（加一档或减一档），直到测试合格才退出OCD操作。
OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性
不过，据一些厂商的技术人员介绍，一般情况下有DQS#（差分DQS时）就基本可以保证同步的准确性，而且OCD的调整对其他操作也有一定影响，因此在普通台式机上不需要用OCD功能，它一般只会出现在高端产品中，如对数据完整性非常敏感的服务器等。
2、片内终结（ODT，On-Die Termination）
所谓的终结，就是让信号被电路的终端被吸收掉，而不会在电路上形成反射，造成对后面信号的影响。在DDR时代，控制与数据信号的终结在主板上完成，每块DDR主板在DIMM槽的旁边都会有一个终结电压岛的设计，它主要由一排终结电阻构成。长期以来，这个电压岛一直是DDR主板设计上的一个难点。而ODT的出现，则将这个难点消灭了。
顾名思义，ODT就是将终结电阻移植到了芯片内部，主板上不在有终结电路。ODT的功能与禁止由北桥芯片控制，ODT所终结的信号包括DQS、RDQS（为8bit位宽芯片增设的专用DQS读取信号，主要用来简化一个模组中同时使用4与8bit位宽芯片时的控制设计）、DQ、DM等。需要不需要该芯片进行终结由北桥控制。那么具体的终结操作如果实现呢？首先要确定系统中有几条模组，并因此来决定终结的等效电阻值，有150和75Ω两档，这一切由北桥在开机进行EMRS时进行设置。
在向内存写入时，如果只有一条DIMM，那么这条DIMM就自己进行终结，终结电阻等效为150Ω。如果为两条DIMM，一条工作时，另一条负责终结，但等效电阻为75Ω
在从内存读出时，终结操作也将在北桥内进行，如果有两条DIMM，不工作的那一条将会终结信号在另一方向的余波，等效电阻也因DIMM的数量而有两种设置
（上图可点击放大）
两个DIMM在交错工作中的ODT情况，第一个模组工作时，第二个模组进行终结操作，等第二个模组工作时，第一个模组进行终结操作
现在我们应该基本了解了ODT的功能，它在很大程度上减少了内存芯片在读取时的I/O功率消耗，并简化了主板的设计，降低了主板成本。而且ODT也要比主板终结更及时有效，从而也成为了提高信号质量的重要功能，这有助于降低日后DDR-Ⅱ进一步提速的难度。但是，由于为了确保信号的有效终结，终结操作期将会比数据传输期稍长，从而多占用一个时钟周期的时间而造成总线空闲。不过，有些厂商的技术人员称，通过精确设置tDQSS，可以避免出现总线空闲。
3、前置CAS、附加潜伏期与写入潜伏期
前置CAS（Posted CAS）是为了解决DDR内存中指令冲突而设计的功能。它允许CAS信号紧随RAS发送，相对于以往的DDR等于将CAS前置了。这样，地址线可以立刻空出来，便于后面的行有效命令发出，避免造成命令冲突而被迫延后的情况发生，但读/写操作并没有因此而提前，仍有要保证有足够的延迟/潜伏期，为此，DDR-Ⅱ引入了附加潜伏期的概念（AL，Additive Latency），与CL一样，单位为时钟周期数。AL+CL被定义为读取潜伏期（RL，Read Latency），相应的，DDR-Ⅱ还对写入潜伏期（WL，Write Latency）制定了标准，WL是指从写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期，不要将它和tDQSS弄混了，后者是指DQS而不是数据。按规定，WL=RL-1，即AL+CL-1。
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
设置Posted-CAS后，必须附加潜伏期以保证应有延迟，此时读取潜伏期（RL）就等于AL+CL，从中可以看出AL的值为CL+tRCD-1
DDR-Ⅱ中CL最低值为3，最高为5，并且不再有x.5的设计，而AL值则为0-4。当AL设为0时，前置CAS无效，即为传统DDR模式的操作。不过前置CAS在解决命令冲突的时间也带来了新的问题——在背靠背式读取时，仍将经过AL+CL的潜伏期才能读取数据，比传统的只有CL相比，读取的延迟反而增加了。因此，AL=0是默认设置，只有在那些读写命令非常频繁的操作场合，才建议启动前置CAS功能（如服务器等），对于台式机用户，前置CAS的优点不足以抵消其带来的不利影响。
由于有了AL，在同一行中进行再读取时，在CL的基础上仍将增加AL造成的延迟，从而影响了性能
4.3 DDR-Ⅱ未来发展与DDR-Ⅲ
1、DDR-Ⅱ 的发展计划
虽然目前多家厂商都推出了DDR-Ⅱ内存芯片，但从DDR官方组织JEDEC方面得到的信息表明，2004年才会是DDR-Ⅱ普及的阶段。而由于三星、南亚与Micron公司的大力推广，这期间JEDEC很可能会接受DDR-400标准，目前的争执主要在于能否在DDR-I的体系下保证DDR-400的可靠性。对此（成为JEDEC正式标准），三星与南亚公司都表示了很强的信心。其实，从规范上看，DDR-II可以支持到DDR-800。
DDR-400应该会获得认可，毕竟市场上是有需要的，而让市场去等一年的时间迎接DDR-Ⅱ 400似乎并不现实。不过，多通道技术在DDR领域里的普及，可能也会改变JEDEC对认证DDR-400的想法，但关键要看多通道的性价比能不能填补这一空档，否则DDR-400就是一个最佳的选择（在完整/进阶版完稿之后又传来了Intel准备支持DDR-400的消息，可见DDR-400的前途）。
三星公司展示的DDR-333（下）与DDR-400（上）内存模组
三星是DDR-400的主推厂商，但请注意DDR-400的电压变化，它可能是引起兼容性问题的根源之一
也由于多通道的出现，市场上对DDR-Ⅱ的渴望也并不大，毕竟它与同频的DDR-I内存的带宽一样。而从上文可以看出，DDR-Ⅱ相对于DDR-I的不同设计很多都集中在了如何在更高的工作（时钟）频率下保证数据的可靠。只有当DDR-Ⅱ依靠自身的特有功能与设计来获得更高的时钟频率时，再配合多通道，才会真正拉开与DDR-I的距离，那时也就是DDR-Ⅱ普及的开始。但笔者预测DDR-Ⅱ 400将像DDR-200一样，注定是一个一出生就过时的标准，DDR-Ⅱ至少要从533开始流行。不过在目前情况下，我们还不必太在意DDR-Ⅱ的进展情况，说句实话，它离我们还很远。今天的介绍只是让大家对其有一个大概的了解。
DDR-Ⅱ内存图赏
Micron公司的DDR-Ⅱ 533内存与DDR-Ⅱ分析/检测卡，它用来分析DDR-Ⅱ内存的工作情况，并依此对内存的内部设计进行改进，值得注意的是系统平台用的是令人怀念的Micron自己的芯片组
三星公司展示的DDR-Ⅱ 533内存模组，模组标准为PC4300，相应的，如果是DDR-Ⅱ 400将是PC3200
Elpida公司的DDR-Ⅱ内存模组，银光闪闪的CSP封装显得与众不同
2、DDR-Ⅱ时代的封装技术
可以肯定的是TSOP-II将在DDR-Ⅱ时代彻底退出内存封装市场。并且将会出现改良型的CSP——WLP（Wafer Level Packaging，晶圆级封装），它是比CSP更为贴近芯片尺寸的封装方法，由于在晶圆上就做好了封装布线，因此在可靠性方面达到了更高的水平。不过，外在的模样仍与现在的CSP封装差不多，WLP更多的改进是在其内部。
另外值得一提的是为了应付更高容量的需求而采用的SiP封装技术，它是System-in-a-Package的缩写，有时又称之为Stacked Pakage，可以看作是一种集成封装技术。它将多枚内存芯片核心堆叠在一起，然后统一封装成一颗芯片，在有限的面积内通过充分利用空间达到容量倍增的目的。SiP并不是内存中专用的封装技术，原来是用于多种不同功能的芯片统一封装（如一颗嵌入式CPU+DRAM芯片）。
（上图可点击放大）
目前的SiP技术可以在CSP的基础上最多堆叠4枚内存芯片
3、DDR-Ⅲ简介
DDR-Ⅲ的设计始于2001年5月，目前只有一个大概的规格。按照JEDEC的计划，DDR-Ⅲ将在2007年正式出台，数据传输率至少从667MHz开始，预取数据容量大于4bit（很可能采用RDRAM那样的8bit设计），而且工作电压比1.8V更低，寄生干扰也将进一步减少。显然，它离我们更是遥远，还不到谈论它还的时候，要知道半导体技术日新月异，DDR-Ⅲ完全有可能因此而中途改变设计。内存模组
5.1 内存模组的分类
内存模组是内存在PC系统中的最终体现形式，所以在最后，我们来简要谈谈内存模的类型和未来的发展情况。不过，本章节只介绍DIMM，而不涉及RIMM（其实两者的很多概念是相通的）。目前经常见到的模组主要有五种：
1、Unbuffered DIMM：无缓冲型模组，这是我们平时所用到的标准DIMM，分有ECC和无ECC两种，简称Unb-DIMM。
2、Regustered DIMM：寄存型模组，这是高端服务器所使用的DIMM，分有ECC和无ECC两种，但市场上几乎都是ECC的，简称Reg-DIMM。
3、SO-DIMM：Small Outline DIMM，小外型DIMM，笔记本电脑中所使用的DIMM，分ECC和无ECC两种，DDR-Ⅱ时代仅有无ECC的型号。
4、Micro-DIMM：微型DIMM，供小型笔记本电脑或手持式设备使用的DIMM。
5、Mini-DIMM：DDR-Ⅱ时代新出现的模组类型，它是Regustered DIMM的缩小版本，用于刀片式服务器等对体积要求苛刻的高端领域。
各类型内存DIMM对比表
三星公司DDR-333标准的SO-DIMM，容量高达512MB
5.2 未来模组的技术发展
本文将重点讲一下Unb与Reg-DIMM，和未来模组技术的发展
一、Unb与Reg-DIMM的区别
Unb与Reg-DIMM的最大区别在于模组上有无寄存器。在高容量模组上，内存芯片数量很多，而且在需要大容量内存的工作场合，内存模组的安插数量也是很多的，这使命令与寻址信号的稳定性受到了严峻考验。很多芯片组的资料中都说明只有使用Reg-DIMM才能达到标称的最高内存容量，从这点就能猜到寄存器的作用——稳定命令/地址信号，隔离外部干扰。
Reg-DIMM工作示意图，命令与地址信号通过寄存器中继传输至内存芯片
在工作时，命令地址信号会先送入寄存器进行“净化”并进入锁存状态，然后再发送至内存芯片，芯片中的数据则不经过寄存器而直接传向北桥。由于要经过中继传输，所以内存操作的时序也会因此而增加一个时钟周期，这是它所带来的一个弊端，但在高端应用中，内存系统的稳定可靠的重要性远在性能之上，所以Reg-DIMM一般只 25 用于高端市场，并且需要芯片组的支持才行（主要是Reg所引起的时序变化）。而在高端设备中，ECC基本都是必须的，因此市场上的Reg-DIMM也都无一例外的是ECC型模组，虽然也有无ECC的Reg-DIMM设计标准。
另外，为了保证内存工作时钟的稳定，Reg-DIMM上还要有一颗PLL对时钟信号对主板发来的时钟信号进行跟踪/锁定。在SDRAM时代，这并不是必须的设计，但到了DDR时代，由于对时钟的敏感性，PLL成为了必备元件。
DDR内存模组的结构图，寄存器与PLL是它相对于Unb-DIMM的最大不同
现在再回头看看Unb-DIMM，就很明白了。它关键就少了寄存器，但为什么不称之为Unregistered-DIMM呢？其实，Buffered与Registered是Reg-DIMM的两种工作模式，前者在Reg-DIMM上并不常用，它是以时钟异步方式工作的，输出信号的再驱动不与时钟同步，Registered模式下输入信号的再驱动则与时钟同步。显然，Buffered模式下的性能要更低一些。不过，从原理上讲Registered模式也是一种缓冲操作，只是与时钟同步而已。在SDRAM的Reg-DIMM上，Buffered与Registered模式通过REGE信号控制，但到了DDR SDRAM-DIMM时代，可能由于性能的原因Buffered模式被取消了。
在Unb-DIMM上，没有寄存器也就没了这个Buffer，但它仍可具备ECC功能。这里需要强调的是，ECC与Registered是两码事，前者是在逻辑上保证数据的安全，后者是在物理上保证内存系统的稳定工作。
德国Infineon公司推出的容量高达2GB的PC2100 Reg-DIMM
二、DIMM引脚的基本设计
讲完Unb-DIMM与Reg-DIMM的不同之后，现在我们来看看DIMM引脚上的不同。其实，从内存芯片的引脚上就能推断出一些DIMM的引脚，因为芯片最终要通过DIMM来与主板打交道的。
首先，DIMM肯定要有64个引脚用来数据的传输，而且要有Ax地址线、L-Bank地址线、片选、数据掩码、电源、RAS、CAS„„等信号，另外，ECC型与Reg型DIMM要有额外的标定引脚，下面我就以SDRAM和DDR SDRAM为例，分Unb-DIMM和Reg-DIMM来介绍一下DIMM都包含有哪些的引脚。
（上图可点击放大）
从上面的引脚信号列表中，大家应该能了解到DIMM的大体情况了。其中很多信号定义是不是非常熟悉？从中可以看到，在DDR SDRAM时代已经为8个L-Bank做好了准备，但业界显然没有利用到它，不光是内存厂商，DDR芯片组中似乎没有支持8个L-Bank的设计。还有就是CS信号，从SDRAM到DDR，都有4个CS的设计，但目前的DIMM还都是双P-Bank的设计，不同的是，SDRAM-DIMM上，4个CS是必须的，两个CS对应一个P-Bank芯片集，但到了DDR时代，可能是技术与工艺的进步，一个CS就控制了一个P-Bank。总之，当我们了解了芯片的引脚设计后，对DIMM的引脚组成也就不再陌生。有兴趣的读者，可以自行深入研究。
三、QBM型DIMM
之所以在前文没有介绍四倍带宽内存（QBM，Quad Band Memory），就是因为不是针对芯片的技术，而针对DIMM的技术。它诞生于DDR时代，是Kentron公司为了解决DDR带宽提供困难而提出的设计方案。主要的思路就是让DIMM上的两个P-Bank交错工作，而交错的时钟周期为原始时钟的1/4，即相位相差90度。
（上图可点击放大）
QBM的工作时序图，第二个P-Bank的工作时钟与第一个P-Bank相差90度（1/4周期），这样在第一个P-Bank时钟的高/低电平中部就是第二个P-Bank的触发点，两者都是DDR传输，从而在一个时钟周期内完成4次数据触发，实现四倍带宽
为了控制两个P-Bank中同一位置的芯片交错工作，模组上要为每组芯片（在QBM模组上，一个P-Bank位于一侧，两个P-Bank中位置相对的芯片为一组）设置一个开关，以控制不同P-Bank间的通断。并且还要为延迟1/4周期的P-Bank提供一个PLL以保证相位差的准确性。
QBM的设计是非常巧妙的，经过对现有的DDR模组的改装，配合新的芯片组即可将带宽提高一倍，有点类似于32bit RIMM，在一个模组上实现了双通道的功能，只是QBM不是双通道并发，而是双通道交错，通过更高的传输频率实现高带宽。但是新增加的开关与PLL元件将增加一定的成本，不过与其所能提供的带宽相比，还是比较划算的。
（上图可点击放大）
Kentron公司给出的QBM与其他内存方案的成本比较表，从中可以看出QBM有较高的性价比
但是，开关元件的同步性对于QBM是个考验，时钟频率越高，对开关的控制精度就越高。目前，有不少大牌的模组厂商（如Infineon）都在论证QBM的可行性与可靠性，据部分厂商透露，在使用DDR-333或之前标准时，QBM的表现良好，但到了DDR-400，QBM的可靠性就会降低，如果克服这一个问题，那么延迟又会大幅提高。所以，QBM目前的可行标准是QBM533（DDR-266）和QBM667（DDR-333）。VIA在P4X800中将要支持的标准也是QBM533，虽然不能使用DDR-400，但它的5.4GB/s带宽（QBM667）在目前仍是无敌的。
不过，由于QBM是针对模组的技术，所以理论上QBM可适用于任何DIMM，包括SDRAM和DDR-Ⅱ的DIMM，Kentron也有此计划研制QBM型DDR-Ⅱ DIMM，以保持QBM的生命力。另外，Kentron已将QBM标准上报JEDEC审批，目前还不知能否通过。很多模组厂商也都在观望，毕竟QBM转产是很容易的，就看市场情况了。所以，QBM虽然设计巧妙，但得到的支持并不强劲，以Kentron及QBM联盟的生产能力，显然不足以完成普及任务，一切就看P4X800的市场效果了。
三、模组的堆叠装配
当内存芯片容量无法迅速提高的时候，高容量模组如何设计就体现了厂商间的真正实力，由于高容量模组针对的是高端应用市场，所以谁能在容量上有所突破就意味着滚滚商机。就模组而言，芯片基本是固定的，所以芯片堆叠装配（Stack Assembly）技术就是增加容量的首选。
这方面除了Elpida、Kentron、Kingston等公司较早以前提出的TCP、FEMMA、EPOC等堆叠形式外（已有多篇文章介绍过，在此不再重复），著名的封装技术开发商Tessera公司（它在1990年因研制出CSP封装 31 而闻名于世）近期宣布了他们的4枚芯片堆叠装配的模组技术（TCP与EPOC都是两芯片堆叠）——μZ Package，当然，芯片本身的封装也要有相应的调整。而Infineon公司也推出了普通TSOP-II技术的双芯片堆叠装配技术。显然，模组厂商都想利用有限的空间（毕竟在主板上插槽之间的距离是有限的）尽量提高装配容量，若再配合SiP封装形式的内存芯片，DIMM的扩容就如虎添翼了。
Infineon的采用TSOP-II堆叠封装的模组，容量高达2GB
Tessera公司为高容量模组开发的4枚芯片堆叠装配技术μZ Package
结束
篇2：电脑技术故障精华总结
2.bios设置有问题
3.南桥坏
4.pwr相关通路并入一个电容
5.逻辑门电路芯片坏
6.与开机相关的某电容漏电
7.某些主板，在不插内存、显卡等会自动开机或者重启
篇3：电脑技术故障精华总结
随着社会经济及科学技术的发展, 中国的煤矿业现代化进程不断加快, 大量的电气设备被应用于煤矿生产中, 极大地推动了煤矿业的发展, 电力设备性能的好坏直接影响着电力系统的运行, 对煤矿安全生产有着重大的意义。绝缘故障是指电力系统中, 由于导体与地或导体与导体之间绝缘性消失而引起的故障, 据多年来有关数据统计, 电气设备的多数故障属于绝缘性故障, 故障诊断技术是近些年来发展起来的一种可早期诊断故障及原因, 预报故障发展趋势的技术, 应用于煤矿电气设备绝缘故障诊断中, 不仅可有效地降低恶性事故的发生率, 还可增强设备维修的针对性, 提高设备使用效率[1]。
1 故障诊断技术概述
故障诊断技术是采用一定的检测技术, 在设备使用过程中根据检测的数据和经验积累, 来确定设备整体或局部是否正常, 早期发现故障及原因, 并进行故障发展趋势预报, 而基本不拆卸、不解体设备的一种技术, 主要包括故障检测、故障隔离和故障辨识3个方面的内容, 目前常用的故障诊断方法有基于信号处理的方法、基于解析模型的方法和基于知识的故障诊断方法三大类[2]。
基于信号处理的故障诊断方法是故障诊断中较早使用的方法之一, 模型主要采用阈值模型, 处理方法有峰值、波峰系数、波形系数、相关分析法、同步信号平均法等多种, 大体上可分为稳态或准稳态信号的处理方法和非平稳信号的处理方法两大类, 前者主要是基于傅里叶变换分析法, 是采用全局性变换形式, 在对分析对象理性化处理和简化的基础上, 将信号进行分解, 理论较为成熟, 在实践中的应用较为广泛, 但在实际应用过程中易因忽略细微信息而不能满足设备的故障信号特征提取的要求;后者较为典型的有短时傅里叶变换法、小波分析法等, 非平稳信号处理方法的引入, 推动了设备故障诊断中非线性、非稳态和非高斯信号处理的发展, 为近年来设备故障诊断的研究热点。
基于解析模型的故障诊断是按照组成系统的元件间的连接, 此一阶逻辑语句等描述建立待诊断系统模型, 经过系统输入和逻辑模型推理出系统正常情况下的预期行为, 通过对预期行为与实际观测行为的对比, 分析是否存在故障, 主要方法有最小二乘法、等价空间法、滤波器、观测器等方法。
基于知识的故障诊断方法是在知识技术基础上, 集成辨证和数理逻辑, 统一符号与数值处理及推理和算法过程, 通过知识化概念和处理方法, 实现智能化设备故障诊断, 常用的方法有专家系统故障诊断方法和神经网络、信息融合、故障树、模糊故障和基于多Agent (智能体) 故障诊断方法等。
2 煤矿电气设备绝缘故障诊断
电力设备主要有金属材料和绝缘材料两种不同的材料构成, 绝缘材料比起金属材料更易损坏, 易发生老化变质而导致电气设备性能降低, 以往预防电气设备绝缘老化主要是采用定期预防性检修的方法, 但此种方法存在着较大的问题, 易发生漏报、误报和早报。而绝缘劣化、缺陷的发展有一定的过程, 因此可运用故障诊断技术对其进行早期诊断, 判断绝缘的状态, 早期发现绝缘故障。运用故障诊断技术对煤矿电气设备绝缘故障进行诊断主要有信号采集、特征提取、状态识别和预报决策几个过程[3]。
2.1 故障特征提取
电气设备故障特征信息提取流程如图1所示, 电气设备故障信息是通过传感器输出的信号反映出来的, 信号较微弱, 而煤矿采取等环境的背景噪声较强, 可干扰或湮没可反映故障征兆的一些信息, 同时采集的信号也需进行一定的处理, 在故障特征信号与干扰信号的频带不重叠时可直接对信号进行傅里叶变化, 而当二者重叠时则应采用滤波技术将干扰信号排除。
2.2 检测参数确定
设备运行过程中检测的参数是对设备故障发展情况进行判断的主要依据, 因而选择正确的参数十分关键, 确定检测参数时应选择可灵敏、有效反映设备变化情况, 且简单、适用于现场的参数, 通过建立简化数学模型, 进行定量定性分析后确定具体的检测参数。
以煤矿变电设备为例, 设备绝缘体是由一系列的阻容并联构成的, 在设备绝缘完好时可将其看作纯电容试品 (见图2) , C1为设备绝缘良好部分R, 设流过的电流为I1, C2为某处绝缘发生了变化, 设流过的电流为I2, 通过计算整体介损和整体电容变化量, 利用式 (1) 计算电流的变化:
式中, I为试品整体电流, A;I1为C1处流过的电流, A;Y为试品整体电流I等值导纳, S;Y0为试品完好时流过电流I1等值导纳, S;k为C1与C2的比值;tanδ为整体介损;tanδ2为绝缘发生变化后介损。
经计算分析可知, 流过试品的电源和地质电容整体介损随着绝缘局部的变化而发生变化。利用整体介损可发现绝缘受潮、分层、脱壳劣化及绝缘内含气泡游离等缺陷, 但对非贯穿性绝缘缺陷则不能很好地发现, 同时整体受损与温度有正相关关系, 因而检测参数应增加电流试品信号, 同时增加由三相泄漏电流形成的不平衡电压作为检测参数, 以提高检测参数对设备情况反映的灵敏性, 从而更好地判断电气设备绝缘故障。
2.3 故障信息记录方法
故障诊断信息的记录方式主要有两种, 一种是模拟记录, 此种方式是采用磁带记录, 一般情况下可连续记录20 min左右, 只可用于离线检测, 一种是数字记录, 这一方法的连续记录时间更长, 且可进行在线检测, 同时记录的数据可直接进行计算机分析, 可方便地建立电压或电流同时间关系, 对各周期故障信息位置进行确定或是对几个周期内的故障信息进行详细的分析, 比起模拟记录有着显著的技术优势。目前数字记录方式在电力系统故障诊断中的应用已较为广泛, 利用微机化在线监测仪和计算机可方便地实现设备过电压情况的监测和过电压给电气设备带来的损害。
2.4 故障诊断及知识更新
以煤矿井下电机为例, 为防止烧毁现象的发生, 需要对电机绝缘状态进行监测, 并对其剩余寿命进行估算, 以在绝缘故障发生前进行维修或更换, 从而避免绝缘故障的发生, 而判断是否需要维修或更换则要求有较为完善的监测系统和分析正确的诊断结果, 在对故障信息进行分析时, 目前主要是采用数理统计与相关分析理论, 采用数理统计得到过电压数据后, 可通过回归分析判断绝缘的剩余使用寿命, 运用相关分析理论通过建立过电压密度和绝缘放电概率分布函数, 可对绝缘故障的发生率进行估计[4]。
故障诊断技术应用于电气设备诊断中是先采用一定的学习模型对系统进行经验学习和训练后, 通过输入———计算———判断———执行的过程实现的, 在这一过程中, 若出现新的故障类型, 可对系统重新进行经验学习和公式更正, 更新知识, 使诊断系统可满足现实发展的需要。
3 结语
应用故障诊断技术对煤矿电气设备绝缘故障进行诊断, 可提高诊断的准确性, 早期发现绝缘故障, 降低绝缘故障的发生率, 对保证电气设备正常运行和煤矿安全生产有着十分重要的作用和意义。
参考文献
[1]姚智刚, 王庆林.复杂装备控制系统智能故障诊断技术[J].火力与指挥控制, 2012, 37 (12) :1-6.
[2]蒋弦弋, 孙启阔, 殷丽娟, 等.设备状态监测与故障诊断技术的应用[J].机床与液压, 2011, 39 (22) :129-131, 95.
[3]陈君城.故障诊断技术在粮库电气设备绝缘故障诊断中的应用[J].粮食流通技术, 2011 (3) :33-35.
篇4：电脑技术故障精华总结
“理论+临床实践”，是黄山民间医术多年成功发展的模式，也是与诸多同行最大的区别。目前有不少人传授医术，只注重理论而忽视实践，导致教授效果大打折扣，中看不中用。在黄山民间医术，汪新年老师对学员要求十分严格：首先要学员把理论基础学扎实，然后在老师的指导下深入临床实践。汪新年老师始终坚信，只有理论和实践有机结合才能让学员学到真本领，才能真正学以致用。这就是黄山民间医术在众多的医术机构中脱颖而出大获成功所在。
汪新年老师传授学员真实技术，却遭到不少同行的抨击，他们说他简直“傻”到家。但汪新年不为所动，始终秉持“一日为师，终生为父”的信念，把最精华的技术传授给学员，为他们的一生保驾护航。他认为，传授技术不能只盯着钱，更要有高度的社会责任感，对学员负责，对患者负责。正是凭着这样的教学理念，黄山民间医术成为了一块金字招牌，汪新年赢得了广泛赞誉，桃李满天下。
刘家民，四川成都人，今年62岁，是名退休工人。年轻时，他生活条件艰苦，经常生病而得不到及时治疗。后来，他又长期在车间从事繁重的体力工作，落下一身病痛。腰椎间盘突出、颈椎炎和风湿性关节炎等疾病，令他饱受痛苦。
单位照顾刘家民，让他提前退休，安心养病。可退休后，刘家民的颈椎病和风湿性关节炎非但没有减轻，反而越来越严重。平时他只能静坐，稍微活动就会疼痛得很厉害，有时候甚至彻夜难眠。为了治好他的病，他的几个儿女没少操心。中医西医，中药西药，只要有可能治好病，他们都让老父亲尝试。可是他们到处寻医问药，也没有找到良方。
2011年春节期间，刘家民的大儿子刘卫东无意中从朋友那里听说黄山民间医术。据朋友介绍，不用打针吃药，黄山民间医术就能根治颈椎病、风湿性关节炎等疾病。乍听，刘卫东满怀狐疑。但他退一步想：老父亲为了治好病，已经吃了不少苦，花了不少钱，也不妨再试一试。刘卫东带着一丝欣喜向父亲说起黄山民间医术，可刘家民根本不信。刘家民唉声叹气地说，这些年没少折腾过，什么民间秘方没尝试过?可花了大把钱，病情不但没有减轻，反而越来越严重。他理解儿女们的心，但他宁愿忍受病痛，也不想再瞎折腾了。
为了说服父亲，儿女们开始四处搜集黄山民间医术的资料，并从各处收集到了大摞报道黄山民间医术的权威报刊。看了国内多家权威媒体的报道文章后，刘家民终于动心了。
春节过后，刘家民在二儿子的陪同下，以病人的身份拜访黄山民间医术正宗传人汪新年老师。在门诊部，他们看到了一派繁忙的景象，门诊内座无虚席。如果黄山民间医术效果不好，会得到这么多人的信赖?眼见为实，这下子父子俩完全信服了。而汪新年老师的热情接待和耐心解惑，更让他们倍感亲切、温暖。
刘家民决定留下来治疗，如果治好了病也学习黄山民间医术。退休这些年，除了承受病痛折磨，他也觉得无所事事，度日如年。他想，学好黄山民间医术，掌握一技之长，不仅可以发挥余热，替很多跟他一样身患病痛的人解除痛苦，还可以开门诊创业创富。
汪老师的学生带着刘家民去参观了门诊部、教室和宿舍等，后来他还自己去找学员了解情况。通过一番实地考察，刘家民心里更有底了。
经过一个星期的治疗，刘家民的病情好多了，他和儿子商量决定留下来学习。接下来的日子里，刘家民一边跟汪老师认真学习，一边接受进一步的巩固治疗。三天后，他的颈椎和关节没有一丝不舒服，他的病情更趋于稳定，白天适当活动，晚上能安然入睡，毫无痛感。十天后，刘家民的病就得到完全根治了。这样的效果和速度，真是让他激动不已。
治好病，学成归来后，刘家民就像年轻了20岁，又充满了活力。在儿女们的支持下，他开了一家黄山民间医术门诊。如今，他已经成为远近闻名的良医，生意做得如火如茶，赢得很好的口碑。
相关链接：新年职业学校是一所专业传授运用纯中医疗法治疗颈肩腰腿痛等的重点教学机构，有10多年的办学历史，现已毕业学生2000多人。为让更多的医生和中医爱好者掌握黄山民间医术，现特举办专修班。
一、医术班培训内容：中医基础理论、人体解剖学、经络腧穴学、推拿学、针灸学、刮痧拔罐疗法、中医正骨、整脊、灵龟八法、全息针灸、一孔多针法、一针疗法、刺血疗法、火烧疗法、经筋疗法、平衡疗法、内功推拿点穴、快速诊断秘法整脊和正骨等。
二、治疗及学习范围：颈椎病、肩周炎、腰椎间盘突出、坐骨神经痛、急慢性腰腿痛、急慢性关节炎、骨刺、骨质增生、网球肘、足跟痛、胸肋痛、腰背痛、落枕、头痛、骨折后遗症、腹泻、便秘和消化不良等。
三、九代单传秘方：1.特效接骨灵，药后骨响自接：2.跌打瞬间愈：3.止血生肌散；4.治癣神方；5.烫伤膏等。以上秘方单项学习600元，全学3000元。
四、功法班：黄山派自然返源回春功(对阳痿、早泄、阴茎短小、神经衰弱、前列腺炎和记忆力衰退等都有显著的效果)学费：1900元
五、医术班费用及开学时间：短期班27天，学费5480元。长期班时间不限，精通为止，学费5780元。开学时间：每月4号、5号报到。
六、考核颁证：毕业后经国家人力资源和社会保障部考核，颁发全国通用、出国有效的《职业资格证书》，官方网站可查。
七、联系方式：安徽黄山市休宁县城县前街31号休宁县新年职业学校(民间疗法门诊部)；咨询电话：1890559647713705596477；招生热线：0559—7521777；网址：www.xnschool.com；联系人：詹老师汪老师。
篇5：电脑技术故障精华总结
《汽车故障诊断与检测技术》考点总结
【第一章】（小题）
1.汽车故障及其主要类型：按照故障存在时间可分为间断性故障和永久性故障；按照故障发生快慢可分为突发性故障和渐发性故障；按照故障是否显示可分为功能故障和潜在故障。
2.汽车故障的形成：磨损（磨料磨损、粘着磨损、表面疲劳磨损、腐蚀磨损、微动磨损）；变形和断裂（变形、断裂）；蚀损（腐蚀、气蚀、侵蚀）；其他。
3.在正常使用情况下，零件磨损是导致汽车技术状况变坏、产生故障以至失去工作能力的主要因素。
4.诊断参数：（简答）
a.工作过程参数：工作过程参数是指汽车工作时输出的一些可供测量物理量、化学量，或指体现汽车或总成功能的参数，如发动机功率、油耗、汽车制动距离、制动减速度、滑行距离等；b.伴随过程参数：伴随过程参数一般并不直接体现汽车或总成的功能，但却能通过伴随过程参数在汽车工作过程中的变化，间接反映诊断对象的技术状况，如振动、噪声、发热、异响等；c.几何尺寸参数：几何尺寸参数能够反映诊断对象的具体结构要素是否满足要求，可提供总成或机构中配合零件之间或独立零件的技术状况，如总成或机构中的配合间隙、自由行程、圆度、圆柱度、端面圆跳动、径向圆跳动。
【第二章】（小题）
1.检测站的类型：按服务功能分为安全检测站、维修检测站和综合检测站。
2.五工位全自动安全环保检测线：（简答）
a.汽车资料输入及安全装置检查工位（L工位）；b.侧滑制动车速表工位（ABS工位）；c.灯光尾气工位（HX工位）；d.车底检查工位（P工位）；e.综合判定及控制室工位。
【第三章】（考试重点）
1.发动机功率测试方法，之间的不同点和各自的优缺点：（问答）
a.稳态测功：指发动机在节气门开度一定、转速一定和其他参数保持不变的稳态状态下，在测功机上测定发动机功率的一种方法。
特点：稳态测功的结果比较准确、可靠，多为发动机设计、制造、院校和科研单位做性能试验所采用。但其缺点是测功时费力、成本较高，并且需要大型、固定安装的测功器，因而，在一般的汽车运输企业、汽车维修企业和汽车检测站中采用不多。
b.动态测功：指发动机在节气门开度和转速等参数处于变动状态下，测定发动机功率的一种方法。
特点：由于动态测功时无须向发动机施加负荷，因此也就不需要像测功器那样的大型设备，用小巧的无负荷测功仪就车检测即可。对于汽车使用单位，经常需要在汽车不解体的条件下进行就车试验测定发动机功率。该测功方法所用仪器轻便，测功速度快，方法简单，但测功精度低。
2.气缸密封性检测：气缸压缩压力检测（气缸压力检测）、气缸漏气量（率）检测、进气管真空度检测、曲轴箱窜气量检测、3.气缸压缩压力检测：诊断参数标准，发动机各气缸压力应不小于原设计规定值的85%；各缸压力与各缸平均压力的差：汽油机应不大于8%，柴油机应不大于10%。
4.进气管真空度检测：是一项综合性很强的诊断参数。若进气管真空度符合要求，不仅表明气缸密封性符合要求，而且也表明点火正时、配气正时和空燃比等也符合要求。但是，进气管真空度的检测也有不足之处，它往往不能指出故障的确切部位。比如，利用真空度
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表能测出气门有故障，但是，我哪个气门有故障，它就无能为力了。这就需要结合气缸压力检测或气缸漏气量（率）检测，才能加以诊断。
5.空燃比的分析方法：如果排出的废气中CO、HC的含量很高，CO2和O2的含量很低时，表示空燃比太小，混合气过浓；如果HC、O2的含量高，而CO、CO2的含量均较低时，表明空燃比太大，混合气过稀。O2的含量是最有用的诊断分析依据之一。发动机技术状况正常时，装有催化转换器的发动机所排出的废气中氧的含量体积分数为1.0%-2.0%。小于1.0%时，说明空燃比太大，混合气过稀，易导致缺火。
6.MPI型电控喷射系统喷油压力：0.2-0.35Mpa；SPI型电控喷射系统喷油压力：0.1Mpa左右。
7.燃油喷射过程： 第Ⅰ阶段为喷油延迟阶段，对应于从喷油泵泵有压力上升到超过高压油管内的残余压力Pr,燃油进入油管使油压升高到针阀开启压力P0的一段时间，即喷油泵供油始点至喷油器喷油始点的一段时间。若针阀开启压力P0过高、高压油管渗漏，出油阀偶件或喷油器针阀偶件不密封而使残余压力Pr下降，以及增加油管长度或增加高压油系统的总容积，均会使喷油延迟阶段增加。第Ⅱ阶段为主喷油阶段，其长短取决于喷油泵柱塞的有效供油行程，并随发动机负荷大小而变化，负荷越大，则该阶段越长。第Ⅲ阶段为自由膨胀阶段，当柱塞有效行程结束、出油阀关闭后，尽管燃油不再进入油管，但由于油管中的压力仍高于针阀关闭压力Pb，燃油会继续从喷孔中喷出。若油管中最大压力Pmax不足，该阶段缩短，反之则该段延长。
8.点火系统的标准波形分析：（大题）
ab：在断电器触电打开的瞬间，初级电流迅速下降至零，磁通量也迅速减小，于是次级线圈产生的高压急剧上升。当次级电压还没有达到最大值时，就将火花塞间隙击穿。击穿火花塞间隙的电压成为点火电压（击穿电压）。
bc：在火花塞间隙被击穿的时，两极之间要出现火花放电。同时次级电压骤然下降。cd：火花塞电极间隙被击穿后，通过电极间隙的电流迅速增加，致使两极之间的可燃气体离子发生电离，引起火花放电。cd称为火花线。
de:当保持火花塞持续放电的能量消耗完毕，电火花消失，点火线圈和电容器中的参与能量以低频振荡形式耗完。
fg：断电器触电闭合，点火线圈初级电路又有电流通过，次级电路感应产生一个负电压。ga：次级电压由一定的负值逐渐变化到零。振荡表示触电不牢靠，当至a点时，触电又打开，次级电路又产生点火电压。
9.机油压力检测：技术状况正常的发动机在常用转速范围内，汽油机机油压力应为：196-392kPa，柴油机应为294-588kPa。若中等转速下的机油压力低于147kPa,怠速时低于49kPa，则发动机应停止运转并检查润滑系统。
10.曲轴主轴承间隙每增加0.01mm时，其机油压力大约下降0.01MPa。
11.汽车正常使用时，发动机机油油耗量并不大。磨损小、工作正常的发动机，机油消耗量约为0.1-0.5L/100km；发动机磨损严重时，可达1L/100km或更多。
12.机油品质检测与分析：（简答）方法：不透光度分析法、介电常数分析法、滤纸油斑试验法
工作原理：（介电常数分析法）电容的的电容值除了与两极板间的面积和极板间的距离有关外，还与极板间的填充物质有关。对于一个已经确定了极板面积和距离的电容，极板间的填充物质对于电容值的影响可用一个系数表示。
每种物质都有其自身的介电常数，润滑油也不例外。清洁机油不含有杂质，有其较为稳定的介电常数；而使用中的机油，由于污染程度不同，机油中所含杂质成分和数量也就不
同，其介电常数势必会发生变化。因此，介电常数值便可反映润滑油的污染程度。不难理解，如果被测机油的介电常数与清洁机油介电常数的差别越大，机油的污染程度也就越大。13：机油压力过高原因：（简答、选择）
限压阀调整不当；气缸体润滑油道有堵塞处；机油滤清器滤芯堵塞且旁通阀开启困难；机油压力表或机油压力传感器不良；机油黏度过大；主轴承或连杆轴承间隙过小。
14.冷却系统：正常情况下，冷却水温度应保持在80-90℃。
15.发动机常见的异响主要有：机械异响、燃烧异响（主要异响）、空气动力异响和电磁导向异响，转速、温度、负荷和润滑条件等都会影响发动机异响。
【第四章】
1.支承汽车两边驱动车轮的滚筒各为单个的试验台，称为单滚筒试验台。单滚筒试验台的滚筒直径一般较大，多在1500-2500mm之间。
2.支承汽车两边驱动车轮的滚筒各为两个的试验台，称为双滚筒试验台，双滚筒试验台的滚筒直径要比单滚筒小得多，一般在185-400mm之间。滚筒直径往往随试验台的最大试验车速而定，当最大试验车速高时，滚筒直径应该大一些。最大试验车速达160km/h时，滚筒直径不应小于300mm；试验车速达200km/h时，滚筒直径不小于350mm。滚筒直径相对比较小时，滚筒表面曲率大。
3.离合器打滑测定仪的基本工作原理：频闪原理。即：如果在精确的确定时刻，相对转动的零件的转角照射一束短暂的频率与转动零件的旋转频率相同的光脉冲时，由于人们的视觉暂留现象，似乎觉着零件静止不动。
4.离合器打滑故障原因：（选择）
a.离合器操纵系统调整不当，导致离合器踏板自由行程太小；b.从动盘摩擦片磨损逾限或压盘、飞轮的工作面磨损过甚，导致分离轴承压在分离杠杆上，使离合器踏板无自由行程；c.从动盘摩擦片油污、烧损、表面硬化或铆钉外露，使离合器摩擦副的摩擦系数减小；d.压紧弹簧受热退火疲劳、损坏，膜片弹簧疲劳或开裂，弹力不足；e.压盘、飞轮、从动盘变形，导致传递转矩的能力下降；f.离合器盖与飞轮之间的调整片太厚或固定螺钉松动；g.分离轴承运动发卡不能回位。
5.侧滑量检测的意义：侧滑量反映转向轮外倾与前束相互配合的综合结果。二者匹配情况理想时，侧滑量为零，汽车行驶时转向轮处于纯滚动状态，轮胎磨损轻，行驶阻力小，转向轻便，操作稳定性好。通常，侧滑量不应大于5m/km。应当说明的是：转向轮外倾和前束均合格时，侧滑量合格；反之，当侧滑量合格时，只能说明转向轮的外倾和前束配合的恰到好处，不一定保证外倾和前束都合格。
6.四轮定位检测项目：（填空）转向轮前束值/角及前张角、转向轮外倾角、主销后倾角、主销内倾角、后轮前束值/角及前张角、后轮外倾角、轴距、轮距、转向20°时的前张角、推力角和左右轴距等。
7.转向盘自由转动量过大故障原因：（选择）
a.转向器内主、从动啮合部分松旷或主、从动部分的轴承松旷；b.转向盘与转向轴连接部位松旷；c.转向器垂臂轴与垂臂连接部位松旷；d.转向轴万向节或伸缩花键磨损过甚；e.各拉杆球头连接处松旷；f.转向节与主销配合间隙过大。
8.转向沉重故障原因：（选择）
a.轮胎气压不足；b.前轴或车架变形造成前轮定位失准；c.前稳定杆变形；d.转向节主销后倾角或内倾角过大；e.转向器主、从动部分与其轴承配合过紧或主、从动部分的啮合间隙过小；f.转向器缺油或无油；g.转向器的转向轴弯曲或其支承轴承损坏；h.转向纵、横拉杆球头连接处调整过紧或缺油；i.转向节止推轴承缺油或损坏；j.转向节主销与转向
节衬套配合过紧或缺油。
9.车轮静不平衡：当左、右前轮的不平衡质量相互处于180°位置时，前轮摆振最为严重。
10.车轮动不平衡：动不平衡的前轮绕主销摆振。
【第五章】
1.汽车排气污染物的主要成分：主要是一氧化碳（CO）、碳氢化合物（HC）、氮氧化合物（NOx）、铅化合物、二氧化硫（SO2）、炭烟及其他一些有害物质。
2.汽车排气污染物主要的三个来源：发动机排气管排出的废气（也称尾气）；曲轴箱窜气；汽油蒸汽。
3.怠速工况法：（背）
怠速工况是指发动机在无负载运转状态，即离合器处于结合位置、变速器处于空挡位置（对于自动变速箱的车应处于“停车”或“P”档位），采用化油器供油系统的车，阻风门应处于全开位置，油门踏板处于完全松开位置。
采用怠速工况法，主要是测量一氧化碳和碳氢化合物的排放量。怠速工况法操作简便，但有一定的局限性。
4.高怠速工况法：（背）
高怠速工况是指满足上述（除油门规定）条件，用油门踏板将发动机转速稳定在50%额定转速或制造厂技术文件中规定的高怠速转速时的工况。
高怠速工况法，是为了监控因化油器量孔磨损或因催化转化效率降低，所造成的汽车排放恶化而采取的测量方法，其中高怠速工况排放值应低于低怠速工况测量值。
5.汽车排放污染物的多工况检测（ASM）：ASM5025工况；ASM2540工况。
6.不分光红外线分析法的基本原理：汽车废气中的一氧化碳、碳氢化合物、氮氧化合物和二氧化碳都分别具有能吸收一定波长范围红外线的性质，而且红外线被吸收的程度与废气浓度之间有着一定的关系。即根据废气吸收一定波长的红外线能量的变化，来测量废气中各种污染物的浓度。
7.柴油机自由加速度烟度检测：
自由加速工况定义：在发动机怠速下，迅速但不猛烈地踩下油门踏板，使喷油泵供给最大油量。在发动机达到调速器允许的最大转速前，保持此位置。一旦达到最大转速，立即松开油门踏板，使发动机恢复至怠速。
自由加速滤纸式烟度定义：在自由加速工况下，从发动机排气管抽取规定长度的排气柱所含的炭烟，使规定面积的清洁滤纸染黑的程度。
8.噪声的一般概念：
噪声的声压和声压级：人耳可以听到的声压范围是2×10^-5Pa—20Pa，相差100万倍。声压级的单位为分贝（dB）。
噪声的频谱：人耳可闻声音的频率范围是20-20000Hz。
响度和响度级：响度的单位为宋，1宋的声压级为40分贝、频率为1000Hz纯音所产生的响度；响度的单位为方，1方的数值等于根据听力正常的听者判断为等响的1000Hz纯音的声压级分贝值。
噪声级：A计权声级由于气特性曲线接近于人耳的听感特性，因此目前应用最广泛。
9.噪声检测标准：客车车内噪声不应大于79dB（A）。
【第六章】
1.极板活性物质大量脱落（正极板上二氧化铅脱落）：（简答、选择）
故障现象：充电时，电解液里有褐色物质自水底部上升至表面。
故障原因：电解液密度过高、温度过低、充放电电流过大等都会使脱落速度加快；蓄电池制造质量地、汽车行驶中的震动、电解液结冰等也是影响活性物质脱落的重要因素。
2.极板硫化：（简答、选择）
故障现象：晶粒硫酸铅导电性能差，正常充电时很难还原为二氧化铅和海绵状铅。充电时电解液密度上升很慢，温度却上升很快，会过早出现“沸腾”现象；同时，由于粗晶粒堵塞活性物质空隙，因而阻碍电解液渗透和扩散，使内阻增大。由于内阻大，因此放电时电压急剧下降，不能维持供给起动电流；充电时单格电池的充电电压高达2.8V以上。极板硫化主要发生在负极板上。
故障原因：电池长期充电或放电后充电不及时；蓄电池电解液液面高度过低；电解液密度过高或电解液不纯。
3.电解液密度检查：起动用铅酸蓄电池要求质量小，又要求瞬时放电能力强，故采用浓电解液，选用的电解液密度范围为1.26-1.29g/cm^3（全充电状态）。一般为浓硫酸。
4.我国南方气温高，应选用密度较低的电解液；北方全年气温变化大，夏季与冬季应选用密度不同的电解液。
5.不充电故障原因：（了解、不要求背）
a.发电机皮带轮打滑或连接线路短路；b.电流表极性接反、损坏或充电指示灯损坏；c.发电机不发电；d.整流二极管被击穿短路而或断路；e.发电机滑环脏污或电刷架变形使电刷卡住，引起磁场电路不通；f.发电机激磁绕组短路或断路；g.发电机定子三相绕组之间短路或搭铁。
6.空载试验：当蓄电池电压高于11.5V时，消耗电流应不超过90A，普通型起动机的空载转速应不低于5000r/min，减速型起动机则不应低于3000r/min。
7.起动机不运转故障原因：（看一下）
篇6：电脑技术故障精华总结
要确保区域自动气象站站点数据准确与正常传输,离不开日常维护与设备一旦出现故障能够及时维修好.通过近年来的学习与实践,总结了以下一些经验:
作 者：申国华 李计萍 张建玲 作者单位：申国华(山西省翼城县气象局)
李计萍(山西省霍州市气象局)
张建玲(山西省隰县气象局)